半导体器件 机械和气候试验方法 第41部分：非易失性存储器可靠性试验方法 编制说明.docx

《半导体器件机械和气候试验方法第41部分：非易失性存储器可靠性试验方法》

（征求意见稿）编制说明

一、工作简况

1、任务来源

本项目来源于“国家标准化管理委员会关于下达2023年第三批推荐性国家标准计划及相关标准外文版计划的通知（国标委发〔2023〕58号）”，计划代号为T-339，项目名称为“《半导体器件机械和气候试验方法第41部分：非易失性存储器可靠性试验方法》,由中华人民共和国工业和信息化部提出，由全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78）归口。主要起草单位为：中国电子科技集团公司第五十八研究所、工业和信息化部第五研究所、工业和信息化部电子第四研究院、无锡中微腾芯有限公司、上海复旦微电子集团股份有限公司、北京智芯微电子科技有限公司、河北北芯半导体科技有限公司、电子科技大学、南京航空航天大学、中国电子科技集团公司第三十二研究所、上海贝岭股份有限公司、华东师范大学、浙江驰拓科技有限公司、成都振芯科技股份有限公司。

2、制定背景

半导体器件机械和气候试验方法涉及到半导体器件综合、家用空调与冷藏器具、电力半导体器件、部件、微电路综合等产品，本标准是GB/T4937《半导体器件机械和气候试验方法》中的第41部分，与其他部分一起构成一套完整的试验方法标准，用来规范和统一半导体器件的质量和可靠性的检验试验方法，是评价和考核半导体器件质量的非常重要的、基础的试验方法之一。

非易失性存储器（NVM）是具有数据保持、掉电数据不丢失的特点的存储器，常见类型有EEPROM、Flash，具有反复擦除、可编程的特性。由于其可以长久保存数据的特点，被广泛用于电子设备中，是信息系统与设备的基础性产品。此类器件的擦写耐久性和数据保持能力是用户普遍关注的重要可靠性指标。

本标准的制定旨在为国内非易失性存储器件的擦写耐久性和数据保持能力的考核提供统一的试验方法和依据，保证该类产品的可靠性充分满足用户的需求。

3、工作过程

2023年12月，国标委下达通知，征集参编单位，组建工作组。

2024年1月，成立编制组，编制组主要由技术人员、审查人员以及标准化人员组成。

2024年2月，组织编制组成员对IEC原文进行翻译、校对，形成标准草案。

2024年3月，召开标准启动会，制定工作计划及任务分工，编制组内进行问题讨论。

2024年4月-6月，针对标准技术内容进行讨论，编制组对相关的国内、国外标准进行整理、分析，调研各存储器设计厂家的需求，每周召开内部沟通会，修改完善标准技术内容，并在参编单位内部征求意见，开展试验验证；6月25日组织所内相关专家进行内部评审，根据评审意见完善相关内容，形成征求意见稿。

二、国家标准编制原则、主要内容及其确定依据

1、编制原则

本标准的编写符合GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》、GB/T1.2-2020《标准化工作导则第2部分：以ISO/IEC标准化文件为基础的标准化文件起草规则》的规定。

本标准等同采用IEC60749-41:2020《Semiconductordevices-Mechanicalandclimatictestmethods-Part41:Standardreliabilitytestingmethodsofnon-volatilememorydevices》，可靠性评价方法与国际标准一致，确保非易失性存储器的可靠性水平与国际技术保持同步。

2、主要内容及其确定依据

本标准主要用于非易失性存储器件的可靠性试验，主要包括擦写耐久性、数据保持能力的试验流程、具体要求，同时还给出了器件失效定义及判据，并对不可纠正误码率（UBER）的计算方法进行了详细说明等，适用于除破坏读出存储器之外的非易失性存储器。

本标准主要内容包括对相关术语的介绍、测试设备规定、耐久试验及数据保持试验的流程、失效定义及其计算方法、其他相关说明等。

数据耐久性是器件存储单元反复编程、擦除数据的能力，本标准针对耐久试验提出了交叉温度测试、编程数据图形选择、高温烘焙搭配循环间歇加速擦写循

环次数的验证方法，规定了耐久试验的循环条件及相应的循环次数，并给出了两个示例，以说明温度与循环间歇之间的关系。数据保持是器件掉电后存储单元保持数据的能力，数据保持试验时间与试验温度是关联的，本标准提出了选择特定数据图形进行测试的方案，以验证器件对特定失效机理的敏感度。另外，本标准规定了器件发生瞬态失效的处理方法，以及不可纠正误码率（UBER）的计算方法，用来评价和判定非易失性存储器件在可靠性试验过程中的失效情况，并确定器件的可靠性指标。

3、编制过程中解决的主要