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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN101084573A
(43)申请公布日2007.12.05
(21)申请号CN200580043740.2
(22)申请日2005.12.19
(71)申请人斯泰拉化工公司
地址日本大阪府
(72)发明人菊山裕久脇雅秀伊藤周德久次米孝信二井启一长谷部类鹤丸一志中嶌秀
纪
(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司
代理人苗堃
(51)Int.CI
H01L21/306
C23F1/26
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
微细加工处理剂以及使用其的微细
加工处理方法
(57)摘要
本发明所涉及的微细加工处理剂,
是用于含有钨膜以及硅氧化膜的层叠膜的
微细加工的微细加工处理剂,其特征在
于,含有氟化氢和硝酸和至少氟化铵以及
氯化铵中的任意一种。由此,可以提供能
对钨膜以及硅氧化膜的层叠膜,通过控制
蚀刻速度进行微细加工处理的微细加工处
理剂以及使用其的微细加工处理方法。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
权利要求说明书
1.一种微细加工处理剂,其是用于含有钨膜以及硅氧化膜的层叠膜的微细加工的微
细加工处理剂,其特征在于,含有氟化氢和硝酸和至少氟化铵以及氯化铵中任意一
种。
2.根据权利要求1所述的微细加工处理剂,其特征在于,在25℃对所述钨膜的蚀刻
速度为0.5~5000nm/分的范围以内,并且,在25℃对所述硅氧化膜的蚀刻速度为
在25℃对所述钨膜的蚀刻速度的0.5~2倍的范围以内。
3.根据权利要求2所述的微细加工处理剂,其特征在于,在所述氟化氢的含量为X
摩尔/kg、硝酸的含量为Y摩尔/kg、至少含有氟化铵以及氯化铵中任意一种的含量
为Z摩尔/kg时,所述X,Y以及Z满足下述关系式。
[数学式1]
Z≤1.25Y-1.75(1)
Z>1.4Y-3(2)
Z≤-0.973Y+0.108×(100-4X)(3)
0.5≤X≤10、Y>0、0<Z≤6(4)
4.根据权利要求1所述的微细加工处理剂,其特征在于,在25℃对所述钨膜的蚀刻
速度为0.5~5000nm/分的范围以内,并且,在25℃对所述硅氧化膜的蚀刻速度为
在25℃对所述钨膜的蚀刻速度的不足0.5倍或者超过2倍。
5.根据权利要求4所述的微细加工处理剂,其特征在于,在所述氟化氢的含量为X
摩尔/kg、所述硝酸的含量为Y摩尔/kg、至少含有氟化铵以及氯化铵中任意一种的
含量设为Z摩尔/kg时,所述X,Y以及Z满足下述关系式。
[数学式2]
Z≤-0.973Y+0.108×(100-4X)(3)
0.5≤X≤10、Y>0、0<Z≤6(4)
Z≤1.4Y-3(5)
6.根据权利要求1所述的微细加工处理剂,其特征在于,所述钨膜以选自钨、钛钨、
铜钨、镍钨、钴钨、钼钨、钨硅化物、氮化钨中的至少1种作为主成分。
7.根据权利要求1所述的微细加工处理剂,其特征在于,所述硅氧化膜是选自热硅
氧化膜、没有掺杂的硅酸盐玻璃膜、掺杂磷的硅酸盐玻璃膜、掺杂硼的硅酸盐玻璃
膜、掺杂磷硼的硅酸盐玻璃膜、TEOS膜、含有氟的硅氧化膜、含有碳的硅氧化膜、
氧氮化硅膜、自然氧化膜中的1种的单层膜或者任意地选择2种以上的层叠膜。
8.根据权利要求1所述的微细加工处理剂,其特征在于,在25℃对所述硅氧化膜的
蚀刻速度为0.5~5000nm/分的范围以内。
9.根据权利要求1所述的微细加工处理剂,其特征在于,含有0.001重量%~0.1重
量%的表面活性剂。
10.一种微细加工处理方法,其特征在于,使用权利要求1所述的微细加工处理剂,
对钨膜以及硅氧化膜的至少任意一方
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