一种用于硅薄膜电池陷光结构研究的化学气相沉积设备.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN102220565A

(43)申请公布日2011.10.19

(21)申请号CN201110156698.2

(22)申请日2011.06.13

(71)申请人南开大学

地址300071天津市南开区卫津路94号

(72)发明人陈新亮赵颖张晓丹任慧志张德坤魏长春张建军耿新华

(74)专利代理机构天津佳盟知识产权代理有限公司

代理人侯力

(51)Int.CI

C23C16/24

C23C16/44

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种用于硅薄膜电池陷光结构研究

的化学气相沉积设备

(57)摘要

一种用于硅薄膜电池陷光结构研究

的化学气相沉积设备，包括镀膜装置和气

体管路，镀膜装置包括镀膜室和装片室，

镀膜室内设有衬底、加热器和带筛孔的气

盒，装片室设有内部的层式样品架、侧面

样品推动杆和顶部的层式样品架升降机

构，镀膜室和装片室分别通过管道与真空

泵组抽气管道连接；在O

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种用于硅薄膜电池陷光结构研究的化学气相沉积设备，其特征在于：包括镀膜

装置和气体管路部分，气体管路部分包括Osub2/sub/COsub2/sub气管路、

Ar气携带Hsub2/subO气管路、Bsub2/subHsub6/sub气体管路和Ar

气携带DEZn气管路，镀膜装置为由镀膜室和装片室构成的箱体式密封容器，镀膜

室和装片室之间设有用来分隔或接通的闸板阀，镀膜室内设有衬底、加热器和气盒

并上下间隔排列，衬底用于放置待镀膜的样品，用于加热衬底的加热器通过导线与

箱体外的电源连接，气盒为上面设有筛孔的封闭盒体，气盒通过管道分别与四条气

体管路连接，镀膜室的顶部通过管道与真空泵组抽气管道连接并设有控制蝶阀和真

空闸板阀，镀膜室的底部通过管道与真空泵组抽气管道连接；装片室内设有层式样

品架，样品架的顶层与镀膜室内的衬底位于同一平面上，装片室的侧面设有样品推

动杆，样品推拉杆与样品架的顶层位于同一平面上用于将样品架上的待镀膜样品推

到衬底上，装片室的顶部设有升降机构并通过升降杆与层式样品架连接，升降机构

的升降杆和样品推动杆与箱体结合处均设有真空密封组件，装片室的底部通过管道

与真空泵组抽气管道连接并设有通断控制的闸板阀；

Osub2/sub/COsub2/sub气管路和Ar气携带Hsub2/subO气管路为两

条并联的气体管路，Osub2/sub/COsub2/sub气管路包括

Osub2/sub/COsub2/sub气进口管、进口阀、流量计和出口阀并通过管道

串联连接后进入镀膜室的顶部，流量计的进、出口通过管道并联有气动阀，Ar气

携带Hsub2/subO气管路包括Ar气进口管、进口阀、流量计、水密封储罐、

针阀和出口阀并通过管道串联连接后进入镀膜室内的气盒，其中Ar气管路进入水

密封储罐的进口管伸入水密封储罐的液相中，出口管从水密封储罐的气相引出并设

有压力表，流量计的进、出口通过管道并联有气动阀，上述两条气体管路在两个流

量计出口管道之间设有连接管道并设有气动阀；Bsub2/subHsub6/sub气

体管路和Ar气携带DEZn气管路为两条并联的气体管

路，Bsub2/subHsub6/sub气体管路包括Bsub2/subHsub6/sub气

进口管、进口阀、流量计和出口阀并通过管道串联连接后与进入镀膜室内气盒的管

道相接，流量计的进、出口通过管道并联有气动阀，Ar气携带DEZn气管路包括

Ar气进口管、进口阀、流量计、DEZn密封储罐、针阀和出口阀并通过管道串联连

接后在针阀后与上述同一条进入镀膜室内气盒的管道相接，其中Ar气管路进入

DEZn密封储罐的进口管伸入DEZn密封储罐的液相中，出口管从DE