半导体器件物理课件4.pptxVIP

第四章金属-半导体结肖特基势垒界面态对势垒高度的影响●镜像力对势垒高度的影响●肖特基势垒二极管的电流-电压特性●肖特基势垒二极管的结构●金属-绝缘体-半导体肖特基势垒二极管●肖特基势垒二极管和PN结二极管之间的比较●肖特基势垒二极管的应用●欧姆接触

引言金属-半导体结金属—半导体形成的冶金学接触叫做金属-半导体结（M-S结）或金属-半导体接触。把须状的金属触针压在半导体晶体上或者在高真空下向半导体表面上蒸镀大面积的金属薄膜都可以实现金属-半导体结，前者称为点接触，后者则相对地叫做面接触。金属-半导体接触出现两个最重要的效应：其一是整流效应，其二是欧姆效应。前者称为整流接触，又叫做整流结。后者称为欧姆接触，又叫做非整流结。金属-半导体结器件是应用于电子学的最古老的固态器件。1874年布朗（Brawn）就提出了金属与硫化铅晶体接触间具有不对称的导电特性。1906年皮卡德（Pickard）获得了硅点接触整流器专利。

引言金属-半导体结1907年皮尔斯（Pierce）提出，在各种半导体上溅射金属可以制成整流二极管。十九世纪二十年代出现了钨-硫化铅点接触整流器和氧化亚铜整流器。1931年肖特基(Schottky)等人提出M-S接触处可能存在某种“势垒”的想法1932年威尔逊（Wilson）等用量子理论的隧道效应和势垒的概念解释了M-S接触的整流效应。1938年肖特基和莫特（Mott）各自独立提出电子以漂移和扩散的方式解释势垒的观点。同年，塔姆（Tamm）提出表面态的概念。

引言金属-半导体结1947年巴丁（Bardein）提出巴丁势垒模型由于点接触二极管的重复性很差，50年代，在大多数情况下它们已由PN结二极管所代替。到70年代，采用新的半导体平面工艺和真空工艺来制造具有重复性的金属-半导体接触，使金属-半导体结器件获得迅速的发展和应用。非整流结不论外加电压的极性如何都具有低的欧姆压降而且不呈整流效应。这种接触几乎对所有半导体器件的研制和生产都是不可缺少的部分，因为所有半导体器件都需要用欧姆接触与其它器件或电路元件相连接。

4.1肖特基势垒q?S?q?m4.1.1肖特基势垒的形成考虑金属与N-半导体q?S－半导体功函数－金属的功函数q?m?S－半导体的电子亲和势假设半导体表面没有表面态，接触是理想的，半导体能带直到表面都是平直的。自建电势差Cn c FTTdNnNE q?V ln?V lnNC?0??m??s?b??0?Vn对于金属流向半导体的电子，势垒高度q?b?q?m??s或其中：V ??E ?金属-半导体结

4.1肖特基势垒?V，q?0变成q(?0?V)金属-半导体结加偏压的肖特基势垒正偏压：在半导体上相对于金属加一负电压V半导体-金属之间的电势差减少为?0反偏压：正电压V加于半导体上?VR)势垒被提高到q(?0

4.1肖特基势垒4.1.2加偏压的肖特基势垒根据加偏压的的肖特基势垒能带图与单边突变PN结，正偏压下半导体一边势垒的降低使得半导体中的电子更易于移向金属，能够流过大的电流。在反向偏压条件下，半导体一边势垒被提高。被提高的势垒阻挡电子由半导体向金属渡越。流过的电流很小。这说明肖特基势垒具有单向导电性即整流特性。由于金属可容纳大量的电子，空间电荷区很薄，因此加偏压的的肖特基势垒能带图中q?b几乎不变。金属-半导体结

4.1肖特基势垒4.1.2加偏压的肖特基势垒对于均匀掺杂的半导体，类似于P+N结，在空间电荷区解Poisson方程可得空间电荷区宽度：? ?210 0????RqNdW??? ?V ?2k??A100 d????2? 0 W ?2?C?? ?VRk? A ? qk?N0金属-半导体结221?R0 d?V ?? ?qk? N AC2（4-5）结电容：或：

4.1肖特基势垒1/C2金属-半导体结（cm2/F）2?10154.1.2加偏压的肖特基势垒与PN结情形一样，可以给出1C2与VR的关系曲线以得到直线关系。从中可以计算出自建电势和半导体的掺杂浓度14121086420?1 0 1 2 3 4VR（V）图4-3钨?硅和钨?砷化镓的二极管1/C2与外加电压的对应关系

4.1肖特基势垒?1 034064281210141/C2（cm2/F）2?10151 2VR（V）例题：从图4-3计算硅肖特基二极管的施主浓度、自建电势和势垒高度。解：利用（4-7）式，写成2020Ndqk? A ??1C2?? 2 d?VR??0?? 2 ?VRqk? A d?1C2?1??2.17?10?16(V?F cm2)4.6?1015n TdNN2.8?1019