图像传感器半导体器件.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN101241923A

(43)申请公布日2008.08.13

(21)申请号CN200710127069.0

(22)申请日2007.06.28

(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司

地址中国台湾新竹科学工业园区

(72)发明人王文德杨敦年许慈轩庄建祥

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所

代理人陶凤波

(51)Int.CI

H01L27/146

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

图像传感器半导体器件

(57)摘要

本发明公开了一种图像传感器半导

体器件。此半导体器件包括传感组件，置

于半导体基板内；层间介电材料(ILD)，置

于半导体基板上；以及沟槽，置于ILD

内，覆盖并包围传感组件，且填充有第一

介电材料。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种图像传感器半导体器件，包括：

传感组件，置于半导体基板内；

层间介电材料，置于该半导体基板上；以及

沟槽，置于该层间介电材料内，该沟槽覆盖并包围该传感组件且填充有第一介电材

料。

2.如权利要求1所述的器件，其特征在于，该沟槽更内衬第二介电材料。

3.如权利要求2所述的器件，其特征在于，该第一介电材料包括折射率高于该第二

介电材料的介电材料。

4.如权利要求2所述的器件，其特征在于，该第二介电材料包括一含氮材料。

5.如权利要求2所述的器件，其特征在于，该第二材料的厚度范围约在50～500埃

之间。

6.如权利要求1所述的器件，其特征在于，该第一介电材料包括介电材料可被从待

成像物体朝向该传感组件的可见光所穿透，其中该可见光的波长范围在约300～

800nm之间。

7.如权利要求1所述的器件，其特征在于，该第一介电材料包括折射率高于该层间

介电材料的介电材料。

8.如权利要求1所述的器件，其特征在于，该第一介电材料包括氧化硅。

9.如权利要求1所述的器件，其特征在于，该第一介电材料包括多膜结构。

10.如权利要求1所述的器件，其特征在于，该层间介电材料包括掺杂氟化物的硅

化玻璃或掺杂碳的氧化硅。

11.如权利要求1所述的器件，其特征在于，该传感组件包括互补式金属氧化物半

导体图像传感器、电荷耦合器件传感器或有源图象素传感器。

12.如权利要求1所述的器件，其特征在于，通过俯视，该传感组件位于该沟槽内，

具有至少0.1微米的偏距。

13.如权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括置于该层间介电材料内的多个

金属特征，每一金属特征的临界尺寸实质地小于约0.25微米。

14.如权利要求1所述的器件，其特征在于，该传感组件的尺寸范围在约0.5～5微

米之间。

说明书

技术领域

本发明涉及一种图像传感器半导体器件，具体地涉及改进高等互补式金属氧化物半

导体(CMOS)成像器中多介电层结构的光传播。

背景技术

图像传感器是含若干形成在半导体基板上的传感组件或图象素的集成电路器件。传

感组件用来感应投向半导体基板的大量暴露光。由于集成电路类型的多，随着半导

体技术的发展而有改进图像传感器的需要。半导体技术的常规发展是在一或多导电

层中采用铜。例如，高等半导体技术中互连金属使用铜，它可于金属层间介电层

(inter-metaldielectriclayers)之间增加各种蚀刻终止层与阻挡层，以防止铜迁移到附

近的氧化硅介电材料中。氮化硅已广泛用作阻挡层和终止层。然而，氮化硅与氧化

硅之间的折射率差异将引起光干涉，从而导致改变或降低图像传感器的性能。

发明内容

因此，本本发明提供一种图像传感器半导体器件。该器件包含置于半导体基板内的

传感组件；置于半导体基板上的层间介电材料(ILD)以及置于I