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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN101079321A
(43)申请公布日2007.11.28
(21)申请号CN200710128829.X
(22)申请日2007.01.09
(71)申请人三星电子株式会社
地址韩国京畿道
(72)发明人姜相求
(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所
代理人邵亚丽
(51)Int.CI
G11C16/02
G11C16/10
G11C29/00
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
包括伪单元的闪存存储设备
(57)摘要
非易失性半导体存储设备，包括连
接到位线的串选择晶体管。该设备还包括
串联到串选择晶体管的多个存储单元，其
中至少一个存储单元被配置为在多个存储
单元的擦除过程中处于编程状态。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
权利要求说明书
1、一种非易失性半导体存储设备，包括：
连接到位线的串选择晶体管；以及
串联相接到串选择晶体管的多个存储单元，其中该存储单元中的至少一个被配置为
在多个存储单元的擦除期间处于编程状态。
2、如权利要求1所述的非易失性半导体存储设备，其中每一个存储单元都是具有
多个编程状态之一的多级单元。
3、如权利要求2所述的非易失性半导体存储设备，其中至少一个存储单元的编程
状态是多个编程状态中的最高状态。
4、如权利要求1所述的非易失性半导体存储设备，其中至少一个存储单元在编程
操作期间被提供有通过电压。
5、如权利要求1所述的非易失性半导体存储设备，其中至少一个存储单元被提供
有和在读或擦除操作期间提供给每一个未被选择的存储单元的电压电平相同的电压
电平。
6、如权利要求1所述的非易失性半导体存储设备，进一步包括在多个存储单元和
地之间的接地晶体管。
7、如权利要求1所述的非易失性半导体存储设备，其中至少一个存储单元在多个
存储单元中被不同地选择。
8、如权利要求1所述的非易失性半导体存储设备，其中至少一个存储单元被用作
没有数据存储功能的伪单元。
9、一种非易失性半导体存储设备，包括：
单元阵列，包括多个块，每一个块由多个串组成，每一个串包括由外部地址指定并
连接到相应的字线的多个存储单元，以及不由外部地址指定并连接到伪字线的至少
一个存储单元；
存储设备，被配置为存储选择至少一个存储单元的位置数据；
预解码器，被配置为响应于位置数据，将外部地址转换为内部地址；
解码器，被配置为响应于内部地址和控制信号提供字线电压给字线；
控制单元，被配置为响应于位置数据产生控制信号，
其中控制单元控制驱动器以使连接到伪字线的至少一个存储单元在擦除操作后被编
程到预定状态。
10、如权利要求9所述的非易失性半导体存储设备，其中内部地址包括选择伪字线
的信息。
11、如权利要求9所述的非易失性半导体存储设备，其中伪字线的位置被确定以最
小化包括编程禁止存储单元的串中的电荷共享，其中伪字线的位置被存储在熔丝盒
里作为位置数据。
12、如权利要求9所述的非易失性半导体存储设备，其中位置数据在测试过程期间
和测试过程之后之一的时间上被存储到存储设备中。
13、如权利要求12所述的非易失性半导体存储设备，其中存储设备包括熔丝选择
块。
14、如权利要求9所述的非易失性半导体存储设备，其中解码器包括字线驱动器，
其响应于内部地址和控制信号，提供字线电压到字线以及伪字线。
15、如权利要求14所述的非易失性半导体存储设备，其中字线驱动器在编程操作
期间施加通过电压给伪字线。
16、如权利要求14所述的非易失性半导体存储设备，其中字线驱动器施加电压给
至少一个存储单元，该电压与在读操作期间施加给未被选择的字线的电压相同。
17、如权利要求14所述的非易失性半导体存储设备，其中字线驱动器在擦除操作
期间施加接地电压给所有的字线。
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