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双极型模拟IC总剂量效应仿真验证研究汇报人：2024-01-22

CATALOGUE目录引言双极型模拟IC总剂量效应理论基础仿真验证方法与技术双极型模拟IC总剂量效应仿真实验设计仿真结果分析与讨论结论与展望参考文献

引言01

研究背景和意义集成电路在航天领域的应用日益广泛，而空间辐射环境对集成电路的可靠性构成了严重威胁。双极型模拟IC作为集成电路的重要组成部分，在空间辐射环境下易受到总剂量效应的影响，导致性能退化甚至失效。因此，开展双极型模拟IC总剂量效应仿真验证研究，对于提高集成电路的抗辐射性能、保障航天器在轨稳定运行具有重要意义。

国内外研究现状及发展趋势030201国内外在集成电路总剂量效应研究方面已取得一定成果，但主要集中在数字IC和存储器件方面，对模拟IC的研究相对较少。随着航天技术的不断发展，对集成电路的抗辐射性能要求越来越高，模拟IC总剂量效应研究逐渐成为热点领域。未来发展趋势将更加注重模拟IC总剂量效应的物理机制、仿真方法和加固技术的研究，以提高集成电路的抗辐射性能和可靠性。

本研究旨在通过仿真验证的方法，探究双极型模拟IC在总剂量效应下的性能退化规律和机制，为集成电路的抗辐射加固提供理论支持。研究内容首先建立双极型模拟IC的总剂量效应仿真模型，包括器件级、电路级和系统级模型；然后利用仿真软件对模型进行仿真分析，研究不同辐射剂量下模拟IC的性能退化情况；最后通过实验结果与仿真结果的对比分析，验证仿真模型的准确性和有效性。研究方法研究内容和方法

双极型模拟IC总剂量效应理论基础02

双极型模拟IC工作原理双极型模拟IC的核心是晶体管，其工作原理主要依赖于PN结的放大作用。当在晶体管的基极施加一个微小的电流信号时，通过晶体管内部的放大机制，可以在集电极获得一个较大的电流输出。基于PN结的放大作用双极型模拟IC中的晶体管是一种电流控制器件，其输出电流与输入电流之间存在一定的比例关系。通过改变输入电流的大小，可以控制输出电流的变化，从而实现信号的放大和处理。电流控制器件

辐射诱导电荷总剂量效应是指半导体器件在辐射环境下，由于辐射诱导产生的电荷导致器件性能发生变化的现象。这些电荷会在半导体材料的禁带中形成陷阱，捕获载流子并影响器件的电学特性。氧化层电荷积累在双极型模拟IC中，总剂量效应主要表现为氧化层中电荷的积累。辐射会导致氧化层中陷阱的形成和电荷的捕获，从而改变氧化层的电荷分布和电场强度，进而影响器件的阈值电压、漏电流等关键参数。总剂量效应产生机理

辐射类型和剂量不同类型的辐射（如X射线、γ射线、中子等）以及不同的辐射剂量会对双极型模拟IC产生不同程度的影响。一般来说，辐射剂量越大，总剂量效应越明显。器件结构和材料器件的结构和材料对总剂量效应的敏感性有很大影响。例如，采用不同的氧化层材料和厚度、不同的掺杂浓度和工艺参数等，都会对器件的总剂量效应产生显著影响。工作环境和偏置条件双极型模拟IC的工作环境和偏置条件也会影响总剂量效应的表现。例如，温度、湿度、气压等环境因素以及器件的偏置电压和电流等条件都会对总剂量效应产生一定的影响。影响总剂量效应的因素

仿真验证方法与技术03

根据双极型模拟IC的电路结构和工作原理，建立相应的仿真模型，包括器件模型、电路模型和辐射模型等。建立仿真模型根据实际需求，设置仿真参数，如输入信号、电源电压、温度等，以模拟实际工作环境。设置仿真参数利用仿真工具对建立的模型进行仿真，观察并记录仿真结果，如输出波形、性能指标等。运行仿真对仿真结果进行分析，评估总剂量效应对双极型模拟IC性能的影响，包括静态和动态性能的变化。结果分析仿真验证流程

电路仿真技术利用电路仿真工具对双极型模拟IC的整体电路进行仿真，分析其性能指标和稳定性。辐射效应模拟技术通过模拟辐射环境，研究总剂量效应对双极型模拟IC性能的影响机制。器件建模技术建立双极型模拟IC中关键器件的精确模型，如晶体管、二极管等，以准确模拟其电学特性。关键仿真技术

SynopsysHSPICE专注于集成电路设计和仿真的EDA工具，具有高精度和高效能的特点。COMSOLMultiphysics多物理场仿真软件，可用于研究辐射效应对双极型模拟IC性能的影响。KeysightADS全功能的电子设计自动化软件，适用于射频、微波和高速数字电路的设计与分析。CadenceOrCAD/PSPICE提供强大的电路设计和仿真功能，支持多种器件模型和电路分析方法。仿真工具与平台

双极型模拟IC总剂量效应仿真实验设计04

010203实验目的验证双极型模拟IC在总剂量效应下的性能变化。分析不同剂量率对IC性能的影响。实验目的和方案

为抗辐射加固设计提供理论支持。选择具有代表性的双极型模拟IC作为实验对象。实验方案实验目的和方案验目的和方案设计不同剂量