RCD吸收电路的设计（含计算）.docx

RCD吸取电路的设计〔含计算〕

反激式开关电源RCD吸取电路的设计

对于一位开关电源工程师来说，在一对或多对相互对立的条件面前做出选择，那是常有的事。而我们今日争论的这个话题就是一对相互对立的条件。〔即要限制主MOS管最大反峰，又要RCD吸取回路功耗最小〕在争论前我们先做几个假设，

①开关电源的工作频率范围:20~200KHZ；

②RCD中的二极管正向导通时间很短〔一般为几十纳秒〕；

③在调整RCD回路前主变压器和MOS管，输出线路的参数已经完全确定。

有了以上几个假设我们就可以先进展计算：一﹑首先对MOS管的VD进展分段：ⅰ，输入的直流电压VDC；ⅱ，次级反射初级的VOR；

ⅲ，主MOS管VD余量VDS；ⅳ，RCD吸取有效电压VRCD1。

二﹑对于以上主MOS管VD的几局部进展计算：ⅰ，输入的直流电压VDC。

在计算VDC时，是依最高输入电压值为准。如宽电压应选择AC265V，即DC375V。

VDC＝VAC*√2ⅱ，次级反射初级的VOR。

VOR是依在次级输出最高电压,整流二极管压降最大时计算的，如输出电压为：5.0V±5%〔依Vo=5.25V计算〕，二极管VF为0.525V

〔此值是在1N5822的资料中查找额定电流下VF值〕．VOR＝(VF+Vo)*Np/Ns

ⅲ，主MOS管VD的余量VDS．

VDS是依MOS管VD的10%为最小值．如KA05H0165R的V

D=650应选择DC65V．VDS＝VD*10%

ⅳ，RCD吸取VRCD．

MOS管的VD减去ⅰ，ⅲ三项就剩下VRCD的最大值。实际选取的VRCD应为最大值的90%〔这里主要是考虑到开关电源各个元件的分散性，温度漂移和时间飘移等因素得影响〕。

VRCD＝(VD-VDC-VDS)*90%

留意：①VRCD是计算出理论值，再通过试验进展调整，使得实际值与理论值相吻合．

②VRCD必需大于VOR的1.3倍．〔假设小于1.3倍，则主MOS管的VD值选择就太低了〕

③MOS管VD应当小于VDC的2倍．〔假设大于2倍，则主MOS管的VD值就过大了〕

④假设VRCD的实测值小于VOR的1.2倍，那么RCD吸取回路就影响电源效率。

⑤VRCD是由VRCD1和VOR组成的ⅴ，RC时间常数τ确定．

τ是依开关电源工作频率而定的，一般选择10~20个开关电源周期。

三﹑试验调整VRCD值

首先假设一个RC参数，R=100K/RJ15,C=10nF/1KV。再上市电，应遵循先低压后高压，再由轻载到重载的原则。在试验时应当严密注

视RC元件上的电压值，务必使VRCD小于计算值。如觉察到达计算值，就应当马上断电，待将R值减小后，重复以上试验。〔RC元件上的电压值是用示波器观看的，示波器的地接到输入电解电容“＋”极的RC一点上，测试点接到RC另一点上〕

一个适宜的RC值应当在最高输入电压，最重的电源负载下，VRCD的试验值等于理论计算值。

四﹑试验中值得留意的现象

输入电网电压越低VRCD就越高，负载越重VRCD也越高。那

么在最低输入电压，重负载时VRCD的试验值假设大于以上理论计算的VRCD值，是否和〔三〕的内容相冲突哪？一点都不冲突，理论值是在最高输入电压时的计算结果，而现在是低输入电压。

重负载是指开关电源可能到达的最大负载。主要是通过试验测得开关电源的极限功率。

五﹑RCD吸取电路中R值的功率选择

R的功率选择是依实测VRCD的最大值，计算而得。实际选择的功率应大于计算功率的两倍。

编后语：

RCD吸取电路中的R值假设过小，就会降低开关电源的效率。然而，假设R值假设过大，MOS管就存在着被击穿的危急。

开关电源设计之MOS管反峰及RCD吸取回路技术分类：电源技术|2023-11-26

电源网

对于一位开关电源工程师来说，在一对或多对相互对立的条件面前做出选择，那是常有的事。而我们今日争论的这个话题就是一对相互对立的条件。〔即要限制主MOS管最大反峰，又要RCD吸取回路功耗最小〕

在争论前我们先做几个假设：

①开关电源的工作频率范围:20~200KHZ；

②RCD中的二极管正向导通时间很短〔一般为几十纳秒〕；

③在调整RCD回路前主变压器和MOS管，输出线路的参数已经完全确定。

有了以上几个假设我们就可以先进展计算：一