半导体全面分析：制造三大工艺，晶圆四大工艺！.pdfVIP

半半导导体体全全⾯⾯分分析析：：制制造造三三⼤⼤⼯⼯艺艺，，晶晶圆圆四四⼤⼤⼯⼯艺艺！！

技术：设计流程

100亿个晶体管在指盖⼤⼩的地⽅组成电路，想想就头⽪发⿇！⼀个路⼝红绿灯设置不

合理，就可能导致⼤⽚堵车，电⼦在芯⽚上跑来跑去，稍微有个PN结出问题，电⼦同样会堵

车，所以芯⽚的设计异常重要

芯⽚制造的过程就如同⽤乐⾼盖房⼦⼀样，先有晶圆作为地基，再层层往上叠的芯⽚制造

流程后，就可产出必要的芯⽚（后⾯会介绍），然⽽，没有设计图，拥有再强制造能⼒都没有

⽤

1.规格制定

在IC设计中，最重要的步骤就是规格制定，这个步骤就像是在设计建筑前，先决定要⼏间房

间、浴室，有什么建筑法规需要遵守，在确定好所有的功能之后在进⾏设计，这样才不⽤再花

额外的时间进⾏后续修改

第⼀步：确定IC的⽬的、效能为何，对⼤⽅向做设定第⼆步：察看需要何种协议，否则芯⽚将

⽆法和市⾯上的产品相容第三步：确⽴IC的实作⽅法，将不同功能分配成不同的单元，并确⽴

不同单元间连结的⽅法，如此便完成规格的制定

2.设计芯⽚细节

这个步骤就像初步记下建筑的规画，将整体轮廓描绘出来，⽅便后续制图。在IC芯⽚中，便是

使⽤硬体描述语⾔（HDL）将电路描写出来。常使⽤的HDL有Verilog、VHDL等，藉由程式码

便可轻易地将⼀颗IC功能表达出来。接着就是检查程式功能的正确性并持续修改，直到它满⾜

期望的功能为⽌

3.设计蓝图在IC设计中，逻辑合成这个步骤便是将确定⽆误的HDLcode，放⼊电⼦设计

⾃动化⼯具（EDAtool），让电脑将HDLcode转换成逻辑电路，产⽣如下的电路图，之后，

反复的确定此逻辑闸设计图是否符合规格并修改，直到功能正确为⽌

4.电路布局与绕线

将合成完的程式码再放⼊另⼀套EDAtool，进⾏电路布局与绕线（PlaceAndRoute）。在经过

不断的检测后，便会形成如下的电路图。图中可以看到蓝、红、绿、黄等不同颜⾊，每种不同

的颜⾊就代表着⼀张光罩

▲常⽤的演算芯⽚-T芯⽚，完成电路布局与绕线的结果

5.光罩

⼀颗IC会产⽣多张的光罩，这些光罩有上下层的分别，每层有各⾃的任务。制作时，便由底层

开始，逐层制作，完成⽬标芯⽚

在此过程中，常⽤的⼯具包括IP模块和EDA，下⾯会详细介绍

技术：晶圆、芯⽚、封测

芯⽚制造是⼈类历史上最复杂的⼯艺，加⼯精度为头发丝的⼏千分之⼀，需要上千个步骤

才能完成，其难度，堪⽐两弹⼀星

依产品种类不同，产品所需的加⼯道次约400⾄600道，加⼯时间2-3个⽉，可分为晶圆、芯

⽚、封测三⼤部分，下⾯⼀⼀介绍

制造之晶圆

1.晶圆技术：定义

盖房要有地基，如果将芯⽚制造⽐拟成⽤乐⾼积⽊盖房⼦，藉由⼀层⼜⼀层的堆叠，完成

⾃⼰期望的造型（也就是各式芯⽚），便需要⼀个平稳的基板，对芯⽚制造来说，这个基板就

是衬底，也叫晶圆，是制造半导体器件的“地基”，通过在衬底上实施⼀系列的⼯艺流程，就可以

得到相应的半导体产品

回想⼀下⼩时候在玩乐⾼积⽊时，积⽊的表⾯都会有⼀个⼀个⼩⼩圆型的凸出物，藉由这个构

造，我们可将两块积⽊稳固的叠在⼀起，且不需使⽤胶⽔。芯⽚制造，也是以类似这样的⽅

式，将后续添加的原⼦和基板固定在⼀起。因此，我们需要寻找表⾯整齐的基板，以满⾜后续

制造所需的条件，在固体材料中，有⼀种特殊的晶体结构──单晶（Monocrystalline）。它具有

原⼦⼀个接着⼀个紧密排列在⼀起的特性，可以形成⼀个平整的原⼦表层。因此，采⽤单晶做

成晶圆，便可以满⾜以上的需求。

2.晶圆技术：提纯、⽣长、成型

硅晶圆的制造可以归纳为三个基本步骤：提纯、单晶硅⽣长、硅⽚成型

提纯

硅的主要评判指标是纯度，你想想，如果硅原⼦之间有⼀堆杂质，那电⼦就别想在满轨道和空

轨道之间跑顺畅。⽆论啥东西，纯度越⾼制造难度越⼤。⽤于太阳能发电的⾼纯硅要求

99.9999%，这玩意⼉全世界超过⼀半是中国产的，早被玩成了⽩菜价。芯⽚⽤的电⼦级⾼纯硅

要求99.999999999%(别数了，11个9)，半导体硅⽚的制造难度远远⼤于光伏硅⽚

提纯分成两个阶段，第⼀步是冶⾦级纯化，加⼊碳，以氧化还原的⽅式，将氧化硅转换成

98%以上纯度的硅第⼆步是三氯氢硅法（西门⼦法Siemensprocess），通过加热含碳的硅⽯

来⽣成⽓态的⼆氧化硅（Si