原创力文档- 1、本文档共8页，其中可免费阅读4页，需付费120金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
查看更多
何东〔B140900200〕肖凡〔B140900208〕于佳琪〔B140900204〕
一、SiCJBS器件的进呈现状
宽禁带半导体材料的优势
当前,随着微电子器件向低功耗、高耐压、高牢靠性方向的进展,对半导体材料的要求也渐渐提高。微电子器件越来越多的应用在高温、高辐照、高频和大功率等特别环境。为了满足微电子器件在耐高温顺抗辐照等领域的应用，需要研发的半导体材料，从而最大限度地提高微电子器件性能。传统的硅器件和神化镌器件限制了装置和系统性能的提高。以碳化硅〔SiC〕和氮化稼〔GaN〕为代表的笫三代半导体材料，山于材料本身的宽禁带宽度和高临界击穿电场等优点成为制作耐高温、高功率和抗辐
文档评论（0）