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第二章作业答案Copyrightforzhouqn
2.1、W/L=50/0.5,假设|V|=3V,当|V|从0上升到DSGS3V时,画出NFET和PFET的漏电流V变化曲线GS解:a)NMOS管:假设阈值电压V=0.7V,不考虑亚TH阈值导电①当V0.7V时,NMOS管工作在截止区,则I=0GSD②当V0.7V时,NMOS管工作在饱和区,NMOS管GS的有效沟道长度L=0.5-2L,则effDCopyrightforzhouqn
a)PMOS管:假设阈值电压V=-0.8V,不考虑亚TH①当|V|0.8V时,PMOS管工作在截止区,则I=0GSD②当|V|≥0.8V时,PMOS管工作在饱和区,PMOSGS管的有效沟道长度L=0.5-2L,则effDCopyrightforzhouqn
2.2W/L=50/0.5,|I|=0.5mA,计算NMOS和PMOS的跨D导和输出阻抗,以及本证增益gmro解:本题忽略侧向扩散LD1)NMOS2)PMOSCopyrightforzhouqn
?2.3导出用I和W/L表示的gr的表达式。画出以L为Dmo参数的gr~I的曲线。注意λ∝LmoD解:Copyrightforzhouqn
2.4分别画出MOS晶体管的I~V曲线。a)以V作为参DGSDS数;b)以V为参数,并在特性曲线中标出夹断点BS解:以NMOS为例当VV时,MOS截止,则I=0GSTHD当VVV+V时,THGSDSTHMOS工作在饱和区当VV+V时,MOS工作在三极管区(线性区)GSDSTHCopyrightforzhouqn
2.5对于图2.42的每个电路,画出I和晶体管跨导关于VXX的函数曲线草图,V从0变化到V。在(a)中,假设VXDDx从0变化到1.5V。(V=3V)DD(a)上式有效的条件为即Copyrightforzhouqn
(a)综合以上分析V1.97V时,M工作在截止区,则I=0,g=0X1XmV1.97V时,M工作饱和区,则X1Copyrightforzhouqn
(b)λ=γ=0,V=0.7VTH①当0V1V时,MOS管的源-漏交换X工作在线性区,则②当1VV1.2V时,MOS管工作在线性区XCopyrightforzhouqn
③当V≥1.2V时,MOS管工作在饱和区XCopyrightforzhouqn
(C)λ=γ=0,V=0.7VTH①当V0.3V时,MOS管的源-漏交换,工作在饱和区X②当V≥0.3V时,MOS管工作截止区XCopyrightforzhouqn
(d)λ=γ=0,V=-0.8VTH①当0V≤1.8V时,MOS管上端为漏极,下端为源极,XMOS管工作在饱和区②当1.8VV≤1.9V时,MOS管工作在线性区XCopyrightforzhouqn
③当V1.9V时,MOS管S与D交换XMOS管工作线性区Copyrightforzhouqn
(e)λ=0,当V=0时,V=0.893V,此时MOS工作在饱和区XTH随着V增加,V降低,V降低,此时MOS管的过驱动电压增XSBTH加,MOS管工作在饱和区;直到过驱动V上升到等于DSAT0.5V时,MOS管将进入线性区,则有Copyrightforzhouqn
当V1.82V时,MOS管工作在线性区????XCopyrightforzhouqn
2.7对于图2.44的每个电路,画出V关于Vinout的函数曲线草图。V从0变化到V=3V。inDD解:(a)λ=γ=0,V=0.7VTH右图中,MOS管源-漏极交换?当V0.7V时,M工作在截止区,in1V=0out?当0.7V≤1.7V时,M工作在饱和区,则in1?当1.7VV3V时,M工作在线性区,则in1Copyrightforzhouqn
2.7(b)λ=γ=0,V=0.7VTH?当0V1.3V时,M工作在线性区,则in1?当V≥1.3V时,M工作在饱和区,则in1Copyrightforzhouqn
2.7(c)λ=γ=0,V=0.7VTH?当0V2.3V时,M工作在线性区,则in1?当V≥2.3V时,M工作在饱和区,则in1Copyrightforzhouqn
2.7(d)λ=γ=0,V=-0.8VTH?当0V1.8V时,M工作在截止区,则in1?M工作在饱和区边缘的条件为V=1.8V,此时假设1outV=V
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