AVR单片机汇编语言编程实验报告.pdf

AVR单片机汇编语言编程实验

学院：自动化专业：测控技术与仪器

一、实验名称：

AVR单片机汇编语言编程实验

二、实验目的：

熟悉并掌握AVR单片机指令系统、汇编语言常用伪指令，掌握单片机汇编语言编程

技术，编程实现指定功能，加深对计算机汇编指令的理解。

三、实验仪器：

计算机，VMware，Windows7虚拟机，AtmelStudio开发环境，Proteus仿真开发环

境

四、实验内容、实验过程及结果分析：

1.Flash单元赋值

创建汇编语言工程，目标机型选为Mega128。使用汇编语言伪指令进行编

程，

将下述32字节的常数数据存入首地址为$0160的连续flash存储单元照片中。数

据如下：

0x3f，0x06，0x5b，0x4f，0x66，0x6d，0x7d，0x07

0x7f，0x6f，0x77，0x7c，0x39，0x5e，0x79，0x7；

0xc0，0xf9，0xa4，0xb0，0x99，0x92，0x82，0xf8

0x80，0x90，0x88，0x83，0xc6，0xa，0x86，0x8e；

前后16字节分别是字符0-F对应的共阴极和共阳极LED数码管的字形显

示段码。随后使用IDE自带的调试工具，进入debug调试。在调试过程中，在

Flash存储器映像中查找上述存入的数据块所对应的地址，记录Flash存储器映

像。

图1.1.0

如图1所示，数据3f的首地址为$002C0的内存单元中，为$的二倍，因此说

明数据成功存入该段存储单元

2.DATARAM内存块赋值

使用汇编语言指令，将上述存储在Flash中的32个字节单元的数据块依

次赋值给起始地址为$0230的SRAM内存块的相应内存单元，流程如图2.1.0

所示。

图2.1.0

寄存器初始状态如图2.2.0所示。将Z指针指向先前第一位数据的首地址，

并进行一个次数为16的循环，通过LPM指令将储存在Flash中16字节的数据拷

贝至起始地址为$0230的内存单元中，如图2.2.1所示，数据存储状态如2.2.3

所示。

图2.2.0图2.2.1

图2.2.3

R20寄存器状态

3.DATARAM内存块复制

使用汇编语言指令，将上述SRAM内存中起始地址为$0230的32个字节的数

据块整体复制到起始地址为$0320的内存块中，流程如图3.1.0所示。

图3.1.0

首先将X指针指向数据起始地址$0230，将Y指针指向地址$0320，寄存器状

态如图3.2.1所示。随后进行一个次数为16的循环，通过LD与ST指令，将上

述实验数据赋值至首地址为$032的存储单元中，寄存器状态去3.2.2所示，数

据存储状态如3.2.3所示。

图3.2.1图3.2.2

图3.2.3

5.500ms延时流水灯

在AtmelStudio中创建汇编语言工程，使用汇编语言编程，编译链接后，

将HEX文件下载至Proteus中的目标单片机中，驱动PORTA端口上的发光二

极管实现流水灯显示效果（8个发光二极管轮流点亮）；观察程序运行效果，记

录流水灯相邻灯的点亮时间间隔；修改延时子程序，计算延时时间，实现流水灯

间隔500ms依次点亮，程序流