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无机非金属材料科学基础

教师：赵宇龙

课程大纲材料科学与工程学院

无机非金属材料科学基础

1绪论4非晶态基础

2晶体结构基础5固相反应

3缺陷化学基础6烧结

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第三章缺陷化学基础（点缺陷）

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1缺陷化学概述

2点缺陷的分类

3缺陷的准化学平衡

4点缺陷的研究方法

本章特点：相对第一章来说，学起来容易，题难做！

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§研究方法：点缺陷及其浓度可用有关生成能和其

它热力学性质来描述，因而可在理论上定性和定

量地把点缺陷当作实物，用化学地原理来研究它，

这就是缺陷化学的方法，其研究对象为点缺陷，

不包括声子和激子。

§研究内容：涉及到点缺陷的生成、平衡及反应，

以及点缺陷存在引起电子和空穴的变化，和对材

料固体性质的影响、如何控制材料中点缺陷的浓

度和种类等。

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§信息产业基石硅掺杂有一定导电性半导体

§进入信息时代，当力学性能不再主导材料，电、磁等

性能浮出水面，材料的电、磁性能受原子间的化学键、

电子能级等影响较大，因而在原子数量级的结构和组

成很大程度上影响材料性能，掺杂也成了热门！

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§微波通讯–高频电路（1M）–高频电容–高介电常数

§要求：有高介电常数、低介质损耗（弹性变形），常用以

BaTiO3或PbTiO3基固溶体为主晶相，小型大容量。

§

§这类陶瓷在改善其性能时，一般通过掺杂来改变内部结构，

达到改变极化等性能的目的。

§0.94[(Na_(0.96-x)K_xLi_(0.04))_(0.5)Bi_(0.5)]TiO_3-

0.06Ba(Zr_(0.055)Ti_(0.945))O_3ceramics

§(Na_(0.84)K_(0.16))_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3

§[Bi_(0.5)(Na_(1-x)Ag_x)_(0.5)]_(1-y)Ba_yTiO_3

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§压敏–电压与电阻–过压保护、高压稳压

§Bi_2O_3掺杂对Nb_2O_5-TiO_2

§Ta~(5+)in(Sr~(2+),Bi~(3+),Si~(4+))-addedTiO_2-

§气敏–气体检漏、酒精检测–氧化锡、氧化