1.9驱动控制器技术发展趋势1.pptx

驱动控制器技术发展趋势石家庄职业技术学院新能源与智能网联汽车技术专业群教学资源库

驱动控制器技术驱动控制器技术发展趋势电机驱动控制器作为新能源汽车中连接电池与电机的电能转换单元，是电机驱动及控制系统的核心。其中高性能功率半导体器件、智能门极驱动技术以及器件级集成设计方法的应用，将有助于实现高功率密度、低损耗、高效率电机控制器设计；同时，高性能、高可靠电机控制器产品，还要求具有高标准电磁兼容性（EMC）、功能安全和可靠性设计。

功率半导体器件技术驱动控制器技术发展趋势电机控制器的发展以功率半导体器件为主线，正从硅基绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、传统单面冷却封装技术，向宽禁带半导体（如SiC、GaN等）、定制化模块封装、双面冷却集成等方向发展。同时，得益于成熟的技术迭代，以及相比于宽禁带半导体器件更低的成本，硅基IGBT仍然是当前与未来较长时间内电机控制器产品的主要选择。

功率半导体器件技术驱动控制器技术发展趋势SiC器件属于第三代半导体材料功率器件，具有高热导率、耐高温、禁带宽度大、击穿场强高、饱和电子漂移速率大等优势，结温耐受可以达到225℃甚至更高，远高于当前硅基IGBT175℃的最高应用结温。SiC器件开关速度更快，可应用于更高的开关频率，更适用于高速电机的控制。同时，相比硅基IGBT，SiC器件的开关损耗和导通损耗均大幅降低，有助于降低整车百千米耗电量，提升整车续航里程。

功率半导体器件技术驱动控制器技术发展趋势铜线键合、芯片倒装、银烧结、瞬态液相焊接等新型封装技术可以提高IGBT功率模块的载流密度与寿命，因此也成为当前的研究热点。目前，电装、德尔福、英飞凌、株洲中车时代电气股份有限公司等已研制出基于双面冷却的IGBT模块与电机控制器产品，部分已随整车产品获得批量应用。基于硅基IGBT的电机控制器设计在未来相当长一段时间内仍将为市场的主流选择，硅基IGBT器件芯片与功率模块封装技术将在不断的优化迭代中获得提升。

智能门极驱动技术驱动控制器技术发展趋势门极驱动技术是电机控制器中高压功率半导体器件和低压控制电路的纽带，是驱动功率半导体器件的关键。IGBT门极驱动除具有基本的隔离、驱动和保护功能外，还需结合IGBT自身特性，精确地控制开通和关断过程，使IGBT在损耗和电磁干扰（EMI）之间取得最佳的折衷。

智能门极驱动技术驱动控制器技术发展趋势智能门极驱动的两大主要特点分别为：主动门极控制和监控诊断功能。主动门极控制是根据工作运行环境和工况，对IGBT开关过程进行主动精细化最优控制的一种方法。主动门极控制技术是当前IGBT应用领域的研究热点，其基本思路是把IGBT开通过程和关断过程分别划分为几个不同的阶段，针对某一问题只需对相应的阶段进行独立的门极调控，对其他参数产生很小的（甚至不产生）负面影响。

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