- 1、本文档共48页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
(优选)华科武大
模拟电子技术基础
第三章
在是1\一共有48\于星期二
3.1半导体的基本知识
半导体材料
半导体的共价键结构
本征半导体
杂质半导体
在是2\一共有48\于星期二
3.1.1半导体材料
根据物体导电能力(电阻率)的不同,来划分导
体、绝缘体和半导体。
典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。
在是3\一共有48\于星期二
3.1.2半导体的共价键结构
硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构
在是4\一共有48\于星期二
3.1.3本征半导体
本征半导体——化学成分纯净的半导体。它在物理结构上呈单晶体形态。
空穴——共价键中的空位。
电子空穴对——由热激发而产生
的自由电子和空穴对。
空穴的移动——空穴的运动是靠
相邻共价键中的价电子依次充填
空穴来实现的。由于随机热振动致使共价键被打破而产生空
穴-电子对
在是5\一共有48\于星期二
3.1.4杂质半导体
在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质,可使
半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价
或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。
N型半导体——掺入五价杂质元素(如磷)的半
导体。
P型半导体——掺入三价杂质元素(如硼)的半导体。
在是6\一共有48\于星期二
3.1.4杂质半导体
1.N型半导体
因五价杂质原子中只
有四个价电子能与周围四
个半导体原子中的价电子
形成共价键,而多余的一
个价电子因无共价键束缚
而很容易形成自由电子。
在N型半导体中自由电子是多数载流子它主要由杂质原子提供;空
穴是少数载流子,由热激发形成。
提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子,因此
五价杂质原子也称为施主杂质。
在是7\一共有48\于星期二
3.1.4杂质半导体
2.P型半导体
因三价杂质原子在
与硅原子形成共价键时
缺少一个价电子而在共
价键中留下一个空穴。
在P型半导体中空穴是多数载流子它主要由掺杂形成;自由电子
是少数载流子由热激发形成。
空穴很容易俘获电子,使杂质原子成为负离子。三价杂质因而也
称为受主杂质。
在是8\一共有48\于星期二
3.1.4杂质半导体
3.杂质对半导体导电性的影响
掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响,一
些典型的数据如下:
1
T=300K室温下,本征硅的电子和空穴浓度:
n=p=1.4×1010/cm3
2掺杂后N型半导体中的自由电子浓度:
n=5×1016/cm3
3223
本征硅的原子浓度:4.96×10/cm
文档评论(0)