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模拟电子技术基础
第三章
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3.1半导体的基本知识
半导体材料
半导体的共价键结构
本征半导体
杂质半导体
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3.1.1半导体材料
根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导
体、绝缘体和半导体。
典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。
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3.1.2半导体的共价键结构
硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构
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3.1.3本征半导体
本征半导体——化学成分纯净的半导体。它在物理结构上呈单晶体形态。
空穴——共价键中的空位。
电子空穴对——由热激发而产生
的自由电子和空穴对。
空穴的移动——空穴的运动是靠
相邻共价键中的价电子依次充填
空穴来实现的。由于随机热振动致使共价键被打破而产生空
穴－电子对
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3.1.4杂质半导体
在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使
半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价
或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。
N型半导体——掺入五价杂质元素（如磷）的半
导体。
P型半导体——掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。
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3.1.4杂质半导体
1.N型半导体
因五价杂质原子中只
有四个价电子能与周围四
个半导体原子中的价电子
形成共价键，而多余的一
个价电子因无共价键束缚
而很容易形成自由电子。
在N型半导体中自由电子是多数载流子它主要由杂质原子提供；空
穴是少数载流子,由热激发形成。
提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子，因此
五价杂质原子也称为施主杂质。
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3.1.4杂质半导体
2.P型半导体
因三价杂质原子在
与硅原子形成共价键时
缺少一个价电子而在共
价键中留下一个空穴。
在P型半导体中空穴是多数载流子它主要由掺杂形成；自由电子
是少数载流子由热激发形成。
空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂质因而也
称为受主杂质。
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3.1.4杂质半导体
3.杂质对半导体导电性的影响
掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响，一
些典型的数据如下:
1
T=300K室温下,本征硅的电子和空穴浓度:
n=p=1.4×1010/cm3
2掺杂后N型半导体中的自由电子浓度:
n=5×1016/cm3
3223
本征硅的原子浓度:4.96×10/cm
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