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光刻;掩膜版制作

光刻机工作模式

曝光光源

光学原理

;光刻要求：;掩膜版制作：;投影掩膜版和掩膜版的比较;投影掩膜版的材料：熔融石英

;透镜类型;;掩模版制作过程;投影掩膜版上的结构;文献研讨;实验设备：OptecLightbench准分子激光器

激光源：ATLEX-300i（波长248nm，脉冲能量10mJ，脉冲时间5ns，峰值频率300Hz）

制造采用掩膜版投影法

;1、基于电子束制作X射线掩膜;图为利用电子束刻蚀,结合沉积薄膜层技术制作X射线掩膜版的示意图。首先沉积一层牺牲层,如图（a）步骤然后在牺牲层上甩一层光刻胶,利用电子束刻蚀光刻胶层,如图（b）步骤。电子束刻蚀后,再电铸一层金如图（c）步骤,最后通过显影去掉牺牲层如图（d）步骤。;2、基于准分子激光制作X射线掩膜;当X射线透过厚度为38μm的Kapton薄膜时，随着射线波长变长，X射线的穿透系数明显衰减，如下图所示。造成这种问题的主要原因是激光烧蚀过程中被激光轰击出来的金颗粒沉积在周围，从而增加了金薄膜的厚度，影响了加工结构的精度。

;两种工艺的比较;实验结果;图6是沉积了1.5μm厚的金薄膜经过10次激光烧蚀后制作的掩模版,将此金薄膜作为下一次射线曝光的掩膜版。图7是利用图6所示掩膜版在PMMA基板光刻的结构。由于激光烧蚀的原因,烧蚀后的表面不是很光滑,以至于加工的结构也不是很完美。适当地调整激光能量和烧蚀次数可以提高几何形状规范化以及表面的光滑程度。;结论;光刻机及三种曝光模式;接触/接近式光刻机系统;接触式光刻机依赖人手动操作，并且容易被沾污，因为掩膜版和光刻胶是直接接触的。颗粒沾污损坏光刻胶层、掩膜版或者两者都损坏，颗粒周围区域存在分辨率问题。掩膜版又包含整个硅片的图形，随着尺寸增加又有套准精度问题。他被用于线宽5微米及以上的生产方式中，如今已不被广泛使用。;扫描投影式光刻机;步进重复投影式光刻机;步进扫描光刻机;90年代末～至今，用于≤0.18μm工艺。采用6英寸的掩膜板按比例曝光，曝光场26×33mm。

透镜视场为一个细长条，在步进到下个位置前，它通过校正好的22x33mm像场扫描掩膜版。

扫描过程中具有调节聚焦的能力，使透镜缺陷和硅片平整度变化能得到补偿。

优点：增大了每次曝光的视场；提供硅片表面不平整的补偿；提高整个硅片的尺寸均匀性。但是，同时因为需要反向运动，增加了机械系统的精度要求。;曝光光源;UV光波长（nm）;2.准分子激光

;光学原理;?;分辨率与焦深的对应关系;文献研讨;Atthistime,severalXT:1250i0.85NAimmersionsystemsareoperatinginthefield.

Polarizationisaresolutionenhancementtechnology(RET)initsownright,thefullpotentialofthetechnologyisexploitedincombinationwithimmersion.Initialexperimentscombiningimmersionandpolarizationconfirmthetheoreticalpredictions.BothexposurelatitudeandDOFshowsignificantimprovements.Thegreatestadvantageofpolarizedilluminationisthereductionofmaskerrorenhancementfactor.;Challenge;1.2NAsystemscomein2006

ASMLplanstostartshippingafourth-generationimmersionsysteminthefirsthalfof2006.TheNAoftheXT:1700isystemwillbe1.2tosupport50nmresolution.

Furtherextensionofimmersion

ThetheoreticallimitinNAistheindexofwaterwhenitistheimmersionfluid.Thepracticallimitforlensdesignisestimatedtobe~1.3NA.Thiswouldresultin40nmhalf-pitchresolut