第六章光刻完整版本.pptVIP

一、气相成底膜处理气相成底膜处理包括：硅片清洗、脱水烘焙和硅片成底膜目的是增加硅片和光刻胶之间的粘附性。1、硅片清洗清洗目的：去除硅片表面颗粒、金属杂质、有机沾污和自然氧化层沾污物对光刻的影响：造成光刻胶与硅片之间的粘附性变差——会在显影和刻蚀中引起光刻胶的漂移，导致底层薄膜的钻蚀。光刻胶中的颗粒沾污会导致不平坦的光刻胶涂布或在光刻胶中产生针孔2、脱水烘焙脱水烘焙的目的：去除硅片表面的潮气，提高光刻胶粘附性烘焙方法：温度——烘焙温度是可变的，通常200～250oC，但不能超过400oC。气氛——烘焙在传统的充满惰性气体（如氮气）的烘箱或真空烘箱中完成；也可在一热板上完成，接下来有一冷板来快速降低硅片温度。3、硅片成底膜成底膜的目的：提高粘附性方法：烘焙后硅片马上用六甲基二硅胺烷（HMDS）成底膜，HMDS影响硅片表面使之疏离水分子，同时形成对光刻胶材料的结合力。HMDS本质作为硅片和光刻胶的连接剂。硅片成底膜后应尽快涂胶，建议涂胶在成底膜后60分钟内进行。成底膜技术：HMDS可用浸泡、喷雾和气相方法来涂。浸润液分滴和旋转：滴浸润液和旋转的方法通常用于单个硅片处理，温度和用量容易控制，但系统需要排液和排气装置，缺点是HMDS大的消耗量。气相成底膜和脱水烘焙：最常用的方法，在200～250oC下约30秒完成。优点是由于没有与硅片接触减少了来自液体HMDS颗粒沾污的可能，且消耗量也小。两种方法：一种方法是先进行脱水烘焙，接下来将单个硅片置于热板上通过热传导熏蒸形成底膜。这种方法的优点是硅片是由里向外烘焙，低缺陷密度，均匀加热和可重复性。另一种与气相成底膜结合的脱水烘焙方法是用一个以氮气携带气体的真空腔，用来成批处理，硅片被放在烘箱内的石英载片台上，加热的腔体抽空后充入氮气携带的HMDS蒸气达到一个预先设定的压力，预处理完成后，腔体被抽空，并充入氮气到常压。喷雾分滴和旋转：喷雾方法用一种喷嘴喷雾器在硅片表面上淀积一层细微的雾状HMDS。优点是喷雾有助于硅片上颗粒的去除，缺点是处理时间长和HMDS消耗量大。二、旋转涂胶成底膜处理后，硅片要立即采用旋转涂胶的方法涂上液相光刻胶材料，硅片被固定在一个载片台上，它是一个表面上有很多真空孔以便固定硅片的平的金属或聚四氯乙烯盘。一定数量的液体光刻胶滴在硅片上，然后硅片选转得到一层均匀的光刻胶涂层。不同的光刻胶有不同的旋转涂胶条件。1、旋转涂胶有4个基本步骤：分滴：当硅片静止或旋转很慢时，光刻胶被分滴在硅片上旋转铺开：快速加速硅片的旋转到一高的转速使光刻胶伸展到整个硅片表面旋转甩掉：甩去多余的光刻胶，在硅片上得到均匀的光刻胶膜覆盖层溶剂挥发：以固定转速继续旋转已涂胶的硅片，直至溶剂挥发，光刻胶膜几乎干燥**第六章光刻——气相成底膜到软烘目标解释光刻基本概念讨论正性和负性光刻的区别说明并描述光刻的8个基本步骤解释如何在光刻前处理硅片表面描述光刻胶并讨论光刻胶的物理特性讨论软烘的目的，并解释它如何在生产中完成6.1引言光刻的本质是把临时电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上，转移到硅片上的图形组成了电路的元件，如栅电极、通孔、器件各层间必要的互连线以及硅掺杂区。在完成试验电路或计算机模拟之后，制造集成电路的第一步是产生几何形状的图像，这些电路结构首先以图形形式制作在名为掩膜版的石英版上，紫外线透过掩膜版把图形转移到硅片表面的光敏薄膜上。光刻显影后图形出现在硅片上，然后用一种化学刻蚀工艺把薄膜图形成像在下面的硅片上，各个连续图形转移之间可进行离子注入、扩散、氧化或金属化等工艺操作。6.1.1光刻的概念光刻工艺在IC生产中非常重要，光刻位于硅片加工过程的中心，光刻成本在整个硅片加工成本中几乎占到三分之一，且占整个工艺时间的40～50％，决定最小特征尺寸。光刻胶的三维图形转移到硅片表面的图形形状取决于硅片层面的构成，形成的光刻胶图形是三维的，因为光刻胶中的图形具有长、宽、高。（光）掩膜版：是石英版，包含了对于整个硅片来说确定一个工艺层所需的完整管芯阵列。投影掩膜版：是石英版，指的是对于一个管芯或一组管芯的图形。光刻胶：一种聚合可溶解物，被涂在硅片衬底表面，被烘焙除去溶剂，再将其用受控光线曝光。光刻胶是涂在硅片表面的临时材料，仅是为了必要的图形转移，一旦图形经过刻蚀或离子注入，就要被去掉。光谱：光谱能量要满足激活光刻胶并将图形从投影掩膜版中转移过来的要求。典型的是紫外光源（UV)，紫外光一直是形成光刻图形