【英/法语版】国际标准 IEC 62047-16:2015 EN-FR 半导体器件-微机电设备-第16部分：用于确定微机械薄膜残余应力的测试方法-晶片曲率及悬臂梁偏移方法 Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 16: Test methods for determining residual stresses of MEMS films - Wafer curvature and cantilever beam .pdf

IEC62047-16:2015是一个国际电工委员会（IEC）的标准，它规定了微电子机械系统（MEMS）设备中残余应力测试的方法。具体来说，它涵盖了用于确定MEMS薄膜残余应力的两种主要方法：晶片曲率和悬臂梁弯曲方法。

晶片曲率方法是通过测量晶片在某些区域上的曲率来估算薄膜的残余应力。这种方法通常用于测量平坦表面的薄膜。如果晶片表面上的薄膜产生应力，这些应力会导致晶片表面变形，可以通过测量晶片曲率来估算这些残余应力。

悬臂梁弯曲方法则是通过测量悬臂梁上薄膜的变形来估算残余应力。悬臂梁通常是一块薄片，其末端被固定或支撑。当薄膜沉积在悬臂梁上时，薄膜的应力会导致悬臂梁弯曲。通过测量悬臂梁的弯曲程度，可以估算薄膜的残余应力。

这些方法在MEMS设备的制造和测试中非常重要，因为残余应力可能导致设备的性能下降或失效。通过正确地应用这些测试方法，可以确保MEMS设备在制造过程中的质量，并确保它们在实际应用中的性能。

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