半导体器件与工艺(10).pptVIP

第十章淀积在575～650℃通过热分解硅烷可以用LPCVD淀积多晶硅。低压反应用纯硅烷或者含量为20%～30%的硅烷和氮气的混合气体通入反应系统，在压强为0.2～1.0托的条件下淀积多晶硅。实际淀积速率大约为100～200?/min。向反应混合气体中加人AsH3、PH3、B2H6等可以对多晶硅进行原位掺杂。惰性气体通常会改进膜的均匀性，也可在淀积后用离子注入进行掺杂。难熔金属淀积在多晶硅上形成硅化物结构。这被用来减小多晶硅和其他材料（如钨）界面间的电阻率，形成与其他器件的电连接。轻掺杂多晶硅在存储单元、电容、薄膜晶体管中也作为电阻。CVD淀积系统▲氧化氮化硅含氧的氮化硅称为氧化氮化硅(SiOxNy），它兼有氧化硅和氮化硅的优点。与氮化硅相比，氧化氮化硅改善了热稳定性、抗断裂能力、降低的膜应力。氧化氮化硅的另一优点是膜中的氮积累在Si界面处，减少了拉伸的Si-O键的浓度和热载流子的产生。对薄栅氧来说，在Si/SiO2界面处的氧化氮化硅层可以改进器件的电学性能。可以用不同的技术制备氧化氮化硅膜，例如氧化Si3N4、用NH3氮化SiO2或者直接生长SiOxNy。SiOxNy膜还可以通过SiH4、N2O、NH3来反应制备。Si3N4和SiOxNy通常作为绝缘介质膜进行选择刻蚀的刻蚀终止层。CVD淀积系统■等离子体辅助CVD依赖于等离子体的能量和热能来触发并维持CVD淀积所需的化学反应。在CVD过程中使用等离子体的好处是：1.更低的工艺温度（250～450℃）；2.对高的深宽比，间隙有好的填充能力（用高密度等离子体）；3.淀积的膜对硅片有优良的粘附能力；4.高的淀积速率；5.少的针孔和空洞，因而有高的膜密度；CVD淀积系统■膜的形成在真空腔中施加射频功率使气体分子分解，就会发生等离子体增强CVD并淀积形成膜。被激发的分子具有化学活性，很容易与其他原子键合形成粘附在硅片表面的膜。气态的副产物通过真空泵系统排出。硅片通常需要加热，以促进表面反应并减少不希望的杂质。CVD淀积系统■等离子体增强CVD（PECVD）等离子体增强CVD过程使用等离子体能量来产生并维持CVD反应。PECVD的反应温度远远低于LPCVD的反应温度。例如，LPCVD淀积氮化硅（Si3N4）的温度一般是800～900℃，而铝的熔点是660℃，因此不能用LPCVD在A1上淀积Si3N4；而采用淀积温度为350℃的PECVD就很合适。PECVD是典型的冷壁等离子体反应，硅片被加热到较高温度而其他部分未被加热。需要控制淀积的相关参数以确保温度梯度不会影响膜厚度的均匀性。冷壁反应产生的颗粒更少，需要少的停工清洗时间。淀积腔通常用原位清洗来减少颗粒。CVD淀积系统PECVD一般在真空腔中进行，腔内放置平行且间距若干英寸的托盘，间距可以调节以便进行反应优化。先进的反应器是多腔集成设备。硅片（可以是一片或多片）被放置在下面的托盘上，上电极施加RF功率，当源气体流过气体主机和淀积中部时就会产生等离子体．多余的气体通过下面电极的周围排出。CVD淀积系统▲PECVD二氧化硅用PECVD方法制备二氧化硅，通常是用硅烷(SiH4）和氧气（O2）、氧化氮（N2O）或二氧化碳（CO2）在等离子体的状态下反应。工艺的温度通常是350℃。反应中可以掺入B或者P来形成BSG或PSG，或者BPSG。与APCVDPSG相比，PECVDPSG更不容易开裂，更均匀，针孔更少。平行板PECVD也可采用TEOS淀积SiO2，称为PETEOS。但是PETEOS不能用来填充窄间隔的金属线，因为会产生空洞。PETEOS可以和APCVDTEOS或者HDPCVD结合起来获得良好的间隙覆盖能力，然后辅以CMP。PETEOS方法淀积SiO2的速率相对较高，在集成工具中对于提高硅片产量大有益处。CVD淀积系统▲PECVD氮化硅PECVD氮化硅膜一般作为芯片上的最后一层钝化层，用来防止划伤、隔绝湿气以及防止钠离子扩散。在浅槽隔离（STI）和自对准接触工艺中也被广泛用做掩膜物质。PECVDSi3N4膜不同于化学计量配比，有时候写或SixNyHz。这个分子式点明了它的组成是非化学计量配比的，其中H的含量一般为9%～30%。PECVD氮化硅会增加膜的压应力，原因是淀积过程中的离子轰击会破坏Si-N或Si-H键。氮化硅膜中高的压应力会导致下面金属铝的空洞和开裂