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;(a);2.N沟道增强型MOS管工作原理
1)uGS对导电沟道的影响(uDS=0)
a.当UGS=0,ds间为两个背对背的PN结。
b.当0UGSUGS(th)(开启电压)时,GB间的垂直电
场吸引P区中电子形成离子区(耗尽层)。
c.当uGS?UGS(th)时,衬底中电子被吸引到表面,形
成反型层,即导电沟道。uGS越大沟道越厚。
;(a);3.N沟道增强型MOS管伏安特性
;4.N沟道耗尽型MOS管
当uGS=0时,就有沟道,加入uDS,就有iD。
当uGS>0时,沟道增宽,iD进一步增加。
当uGS<0时,沟道变窄,iD减小。
;4.MOS管使用注意事项
(1)MOS管在存放或使用中避免栅极悬空。测试时所用仪器应保证接地良好,焊接时要将烙铁可靠接地。
(2)MOS管在保存时需要将各极短路。
(3)MOS管的源极与漏极一般可将源极与漏极互换使用。如果MOS管内部已将衬底与源极短接,则源极与漏极不能互换。;
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