模拟电子技术项目化教程（第2版）课件 2.19 绝缘栅型场效应管.pptx

;(a);2.N沟道增强型MOS管工作原理

1）uGS对导电沟道的影响(uDS=0)

a.当UGS=0，ds间为两个背对背的PN结。

b.当0UGSUGS(th)(开启电压)时，GB间的垂直电

场吸引P区中电子形成离子区(耗尽层)。

c.当uGS?UGS(th)时，衬底中电子被吸引到表面，形

成反型层，即导电沟道。uGS越大沟道越厚。

;(a);3.N沟道增强型MOS管伏安特性

;4.N沟道耗尽型MOS管

当uGS=0时，就有沟道，加入uDS，就有iD。

当uGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。

当uGS＜0时，沟道变窄，iD减小。

;4.MOS管使用注意事项

（1）MOS管在存放或使用中避免栅极悬空。测试时所用仪器应保证接地良好，焊接时要将烙铁可靠接地。

（2）MOS管在保存时需要将各极短路。

（3）MOS管的源极与漏极一般可将源极与漏极互换使用。如果MOS管内部已将衬底与源极短接，则源极与漏极不能互换。;