模拟电子技术项目化教程（第2版）课件 1.1 半导体基础知识 .pptx

;根据材料的导电能力，可以将他们划分为导体、绝缘体和半导体。

半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间

半导体材料有：硅Si、锗Ge、硒Se、砷化镓GaAs等。

半导体具有以下特性：

（1）热敏特性：温度升高，大多数半导体的电阻率下降。

（2）光敏特性：许多半导体受到光照辐射，电阻率下降。

（3）掺杂特性：当在纯净的半导体中掺入微量的其它杂质元素（如磷、硼等）时，其导电能力会增加几十万甚至几百万倍。;单晶体的晶格结构是完全对称，原子排列得非常整齐，故常称为晶体。

本征半导体（Insrinsicsemiconductor）：完全纯净、结构完整的半导体晶体;典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是4价元素。

硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子。

;半导体的共价键结构

特点—在T=0K和无外界激发时，没有载流子，不导电。

;;N型半导体—本征半导体中掺入微量五价元素，如磷、砷（杂质）所构成。

P型半导体—本征半导体中掺入微量三价元素，如棚、铟（杂质）所构成。

;载流子的运动：

扩散运动——浓度差产生的载流子移动

P型半导体N型半导体

;载流子的运动：

扩散运动——浓度差产生的载流子移动

;载流子的运动：

扩散运动——浓度差产生的载流子移动（多子）

漂移运动——在电场作用下，载流子的移动（少子）

;载流子的运动：

扩散运动——浓度差产生的载流子移动（多子）

漂移运动——在电场作用下，载流子的移动（少子）

PN结：是指P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。

;PN结正向偏置

—外加正向电压（P+、N–）或VPVN

外电场使多子向PN结移动，中和部分离子使空间电荷区变窄。

扩散运动加强形成正向电流IF=I多子?I少子?I多子(正向导通)

;PN结反向偏置

—外加反向电压（P–、N+）或VPVN

外电场使多子背离PN结移动，空间电荷区变宽。

漂移运动加强形成反向电流IR=I少子?0(反向截止)

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PN结的单向导电性：

PN结正偏导通，呈低阻态，正向电流IF较大；

PN结反偏截止，呈高阻态，反向电流IR很小。

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