模拟电子技术项目化教程（第2版）课件 2.3 三极管的伏安特性.pptx

三极管的伏安特性

主讲：李华

伏安特性曲线：三极管的各个电极上电压和电流之间的关系曲线（输入特性曲线和输出特性曲线）。

1.共发射极输入特性曲线

三极管的伏安特性

输入

回路

输出

回路

iB

iE

iC

+

与二极管特性相似

特性基本重合(电流分配关系确定)

特性右移(因集电结开始吸引电子)

导通电压UBE

硅管：(0.60.8)V

锗管：(0.20.3)V

取0.7V

取0.2V

2.共发射极输出特性曲线

三极管的伏安特性

ICEO

水平部分为何略上翘？

由于uCE增大时，集电结空间电荷区变宽，基区变窄，使载流子在基区复合的机会减小，即电流放大系数增大，称基区宽度调制效应。

2.共发射极输出特性曲线

三极管的伏安特性

（2）截止区：发射结反向偏置，集电结反向偏置

（3）饱和区：发射结正向偏置，集电结正向偏置

（1）放大区：发射极正向偏置，集电结反向偏置

饱和压降UCES

硅管：约0.3V

锗管：约0.1V

3.PNP型三极管共发射极特性曲线

三极管的伏安特性

输入特性曲线

输出特性曲线

【例】已知放大电路中BJT三个极的电位分别为：V1=–4V，V2=–1.2V，V3=–1.4V，试判断BJT的类型、制造材料及电极。

三极管的伏安特性

【解】

NPN管

VCVBVE

PNP管

VCVBVE

硅管：UBE=0.7V；锗管：UBE=–0.2V

本例中：V1V3V2

且：V3–V2=–1.4V–(–1.2V)=–0.2V，脚为集电极极c

则：为锗材料PNP管，脚为基极b，脚为发射极e

谢谢！