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三极管的伏安特性
主讲:李华
伏安特性曲线:三极管的各个电极上电压和电流之间的关系曲线(输入特性曲线和输出特性曲线)。
1.共发射极输入特性曲线
三极管的伏安特性
输入
回路
输出
回路
iB
iE
iC
+
与二极管特性相似
特性基本重合(电流分配关系确定)
特性右移(因集电结开始吸引电子)
导通电压UBE
硅管:(0.60.8)V
锗管:(0.20.3)V
取0.7V
取0.2V
2.共发射极输出特性曲线
三极管的伏安特性
ICEO
水平部分为何略上翘?
由于uCE增大时,集电结空间电荷区变宽,基区变窄,使载流子在基区复合的机会减小,即电流放大系数增大,称基区宽度调制效应。
2.共发射极输出特性曲线
三极管的伏安特性
(2)截止区:发射结反向偏置,集电结反向偏置
(3)饱和区:发射结正向偏置,集电结正向偏置
(1)放大区:发射极正向偏置,集电结反向偏置
饱和压降UCES
硅管:约0.3V
锗管:约0.1V
3.PNP型三极管共发射极特性曲线
三极管的伏安特性
输入特性曲线
输出特性曲线
【例】已知放大电路中BJT三个极的电位分别为:V1=–4V,V2=–1.2V,V3=–1.4V,试判断BJT的类型、制造材料及电极。
三极管的伏安特性
【解】
NPN管
VCVBVE
PNP管
VCVBVE
硅管:UBE=0.7V;锗管:UBE=–0.2V
本例中:V1V3V2
且:V3–V2=–1.4V–(–1.2V)=–0.2V,脚为集电极极c
则:为锗材料PNP管,脚为基极b,脚为发射极e
谢谢!
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