半导体存储行业跟踪：主流存储涨价持续，原厂提高先进制程投片-240708.pdf

证券研究报告

（优于大市，维持）

半导体存储行业跟踪：

主流存储涨价持续，原厂提高先进制程投片

张晓飞（SAC号码：S0850523030002）

联系人：郦奕滢

2024年07月08日

价格端：根据TrendForce集邦微信公众号，24年3月，观察到DRAM供应商库存虽已降低，但

尚未回到健康水位，且在亏损状况逐渐改善的情况下，进一步提高产能利用率，整体一季度

DRAM及NANDFlash价格涨幅分别达到20%及23~28%。第二季DRAM合约价季涨幅将上修至

13~18%；NANDFlash合约价季涨幅同步上修至约15~20%，全线产品仅eMMC/UFS价格涨幅

较小，约10%。第三季进入传统旺季，需求端预期来自北美云端服务业者的补货动能较强，在

预期DRAM及NANDFlash产能利用率均尚未恢复至满载的前提下，两者合约价季涨幅有机会

同步扩大。

需求端：AI+半导体驱动存储需求提升。2024年DRAM及NANDFlash在各类AI延伸应用，如智

能手机、服务器、笔电的单机平均搭载容量均有成长，又以服务器领域成长幅度最高，Server

DRAM单机平均容量预估年增17.3%；EnterpriseSSD则预估年增13.2%。

2请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明

HBM：根据TrendForce集邦微信公众号，受惠于HBM销售单价较传统型DRAM（Conventional

DRAM）高出数倍，相较DDR5价差大约五倍，加上AI芯片相关产品迭代也促使HBM单机搭载容量扩

大，推动2023~2025年间HBM之于DRAM产能及产值占比均大幅向上。产能方面，2023~2024年HBM

占DRAM总产能分别是2%及5%，至2025年占比预估将超过10%。产值方面，2024年起HBM之于

DRAM总产值预估可逾20%，至2025年占比有机会逾三成。

供给端：根据TrendForce集邦微信公众号，受到HBM产能排挤，若先进制程产能扩张不足，DRAM

产品恐面临供不应求。若投资没有明显扩大，因各家产能规划皆以HBM为优先，在产能排挤的效应之

下，DRAM产品恐有供应不及的可能性。

投资建议：我们看好24年全球先进制程产能不足情况下全年主流存储维持涨价，建议长期关注主流存

储模组企业中具备存储+先进封装逻辑的企业，以及利基存储IC设计企业中符合一定涨价逻辑或具备较

大国产渗透空间且与晶圆厂绑定更为紧密的存储IC企业。

风险提示：存储芯片涨价不及预期；终端需求回暖不及预期；半导体国产替代进程不及预期。

3请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明

根据TrendForce集邦微信公众号，24年3月，观察到DRAM供应商库存虽已降低，但尚未回到健康水位，且

在亏损状况逐渐改善的情况下，进一步提高产能利用率，整体一季度DRAM及NANDFlash价格涨幅分别达到

20%及23~28%。

图：24Q1DRAM合约价涨幅图：24Q1NANDFlash合约价涨幅

资料来源：TrendForce集邦微信公众号，海通证券研究所

4请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明

根据TrendForce集邦微信公众号，第二季DRAM合约价季涨幅将上修至13~18%；NANDFlash合约价季涨幅

同步上修至约15~20%，全线产品仅eMMC/UFS价格涨幅较小，约10%。

图：24Q2DRAM及NANDFlash合约价涨幅预测

资料来源：TrendForce集邦微信公众号，海通证券研究所