薄膜材料与关键技术复习资料总结.docVIP

薄膜材料与关键技术复习资料总结.doc

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【讲义总结】

1.真空区域划分:①粗真空(1x105~1x102Pa)。在粗真空下,气态空间近似为大气状态,分子以热运动为主,分子间碰撞十分频繁;②低真空(1x102~1x10-1)。低真空时气体分子流动逐渐从黏滞流状态向分子流状态过度,此时气体分子间碰撞次数与分子跟器壁间碰撞次数差不多;③高真空(1x10-1~1x10-6)。当达到高真空时,气体分子流动已经成为分子流状态,以气体分子与容器壁间碰撞为主,且碰撞次数大大减小,蒸发材料粒子沿直线飞行;④超高真空(<1x10-6)。达到超高真空时,气体分子数目更少,几乎不存在分子间碰撞,分子与器壁碰撞机会更少。

2.获得真空重要设备:旋片式机械真空泵,油扩散泵,复合分子泵,分子筛吸附泵,钛生化泵,溅射离子泵和低温泵等,其中前三种属于气体传播泵,后四种属于气体捕获泵,全为无油类真空泵。

3.输运式真空泵分为机械式气体输运泵和气流式气体输运泵。

4.极限压强:指使用原则容器做负载时,真空泵按规定条件正常工作一段时间后,真空度不再变化而趋于稳定期最低压强。

5.凡是运用机械运动来获得真空泵称为机械泵,属于有油类真空泵。

6.旋片式真空泵泵体重要由锭子、转子、旋片、进气管和排气管等构成。

7.真空测量:指用特定仪器和装置,对某一特定空间内真空度进行测定。这种仪器或装置称为真空计。按测量原理分为绝对真空计和相对真空计。

8.物理气相沉积:是运用某种物理过程实现物质原子从源物质到薄膜可控转移过程。特点:①需要使用固态或熔融态物质作为沉积过程源物质;②源物质通过物理过程转变为气相,且在气相中与衬底表面不发生化学反映;③需要相对较低气体压力环境,这样其她气体分子对于气相分子散射作用较小,气相分子运动途径近似直线;④气相分子在衬底上沉积几率接近100%。在物理气相沉积技术中最基本两种办法是蒸发法和溅射法。

9.蒸发沉积薄膜纯度取决于:①蒸发源物质纯度;②加热装置、坩埚等也许导致污染;③真空系统中残留气体。

10.真空蒸发装置分类:电阻式蒸发装置、电子束蒸发装置、电弧蒸发装置、激光蒸发装置、空心阴极蒸发装置。

11.溅射镀膜原理:运用带有电荷离子在电场中加速后具备一定动能特点,将离子引向由欲溅射材料制成靶材。在离子能量适合状况下,入射离子在与靶材表面原子碰撞过程中将其溅射出来。这些被溅射出来原子具备一定动能,并沿一定方向射向衬底,从而实现薄膜在衬底上沉积。

12.蒸发法特点:与溅射法相比明显特点之一是其较高背底真空度。在较高真空度下,不但蒸发出来物质原子或分子具备较长平均自由程,可以直接沉积到衬底表面上,并且还可以保证所制备薄膜具备较高纯度。

13.溅射镀膜重要长处:①镀膜质量好;②膜/基结合强度高;③均镀能力强。

14.溅射沉积重要特点:与蒸发法相比①沉积原子能力较高,因而薄膜组织更致密,附着力也可以得到明显改造;②制备合金薄膜时,容易实现对薄膜成分精确控制;③可以便地进行高熔点物质溅射和薄膜制备,溅射靶材可以是很难熔材料;④可运用反映溅射技术,用金属靶材制备化合物薄膜;⑤由于被沉积原子均携带有一定能量,因而有助于改进薄膜对于复杂形状衬底表面覆盖能力,减少薄膜表面粗糙度和孔隙率。

15.溅射办法分类:直流溅射、射频溅射、磁控溅射、反映溅射和离子束溅射。

16.磁控溅射离子束镀膜重要特点:①薄膜质量高;②膜/基结合强度高;③实现材料表面合金化。

17.非平衡磁控溅射离子镀技术。特点:①离子束流密度高;②衬底偏压低;③薄膜结合强度高;④沉积速率低。应用领域:①制备薄膜磁头耐磨损氧化薄膜;②制备硬质薄膜;③制备切削刀具和模具超硬薄膜;④制备固体润滑膜;⑤制备光学薄膜。

18.引起衬底温度升高能量来源:①原子凝聚能;②沉积原子额平均动能;③等离子体中其她粒子,如电子、中性原子等轰击带来能量。

19.交流溅射:使用交变电压进行薄膜溅射办法。分类:采用正弦波电源中频溅射法和采用矩形脉冲波电源脉冲溅射法。

20.离子镀:是一种结合了蒸发与溅射两种薄膜沉积技术而发展起来物理气相沉积办法。

21.离子镀重要长处:它所制备薄膜与衬底之间具备良好结合力,且薄膜构造更为致密。另一种长处是它可以提高薄膜对于复杂外形表面覆盖能力,或称为薄膜沉积过程绕射能力。重要应用领域是制备钢铁工具和其她金属不见得硬质涂层。

22.离子团束沉积特点:①原子团对衬底高速冲击将会导致衬底局部温度升高;②原子在衬底表面扩散迁移能力强;③能增进各个薄膜核心连成一片,成膜性能好;④高能量原子团轰击具备清洁衬底表面和离子浅注入作用;⑤能增进衬底表面各种化学反映产生;⑥薄膜沉积速率高;⑦薄膜与衬底间有良好结合力,沉积过程具备高真空度和高干净度,薄膜表面平整,能抑制薄膜柱状晶生长倾向,可实现低温沉积,可控制薄膜构造。

23.等离子体浸没式离子沉积技术特点:长

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