《现代制造系统》课件UNIT 4-1-1 manufacturing-manufacturing techniques.ppt

*像机翼吸附屏的孔、喷气发动机套上的冷却孔，此类孔数量巨大（高达数百万），且孔径微小，密度连续分布而孔径也有变化，非常适合电子束打孔，********反应离子刻蚀（Reactive-IonEtching，RIE）是一种半导体生产加工工艺，它利用由等离子体强化后的反应离子气体轰击目标材料，来达到刻蚀的目的。气体在低压（真空)环境下由电磁场产生，等离子体中的高能离子轰击晶片表面并与之反应。RIE系统的典型的设备（平行板式）一般包括一个圆柱形真空室，真空室底部放置用来放晶片盘子。盘子与室体的其他部分绝缘。气体由小口注入真空室上部，由底部排出进入真空泵。气体的种类和多少取决于蚀刻的程序。比如，六氟化硫经常用来蚀刻硅。通过调节气体流速以及排气孔，气压一般被保持在几托（Torr）至几百托，其他RIE系统包括感应耦合等离子体RIE（inductivelycoupledplasma或者简称ICPRIE）。在这种系统中，气体由射频（RF）供能的磁场所产生。等离子体的浓度可达非常高，但是蚀刻会变得更加各向同性。一个平行板式和感应耦合等离子体式所组合而成的RIE也是可以实现的。这一系统中，ICP用来产生高浓度等离子体来加快蚀刻速率，另一单独加在晶片（硅片）上的射频（RF）偏压用来产生定向电场，以达到各向异性的效果。*1999年初,0.18微米工艺的深紫外线(DUV)光刻机已相继投放市场,用于1G位DRAM生产。根据当前的技术发展情况，光学光刻用于2003年前后的0.13微米将没有问题。而在2006年用到的0.1微米特征线宽则有可能是光学光刻的一个技术极限，被称为0.1微米难关。如何在光源、材料、物理方法等方面取得突破，攻克这一难关并为0.07，0.05微米工艺开辟道路是光刻技术和相应基础研究领域的共同课题。在0.1微米之后用于替代光学光刻的所谓下一代光刻技术（ＮＧＬ）主要有极紫外、Ｘ射线、电子束、离子束光刻。由于光学光刻的不断突破，它们一直处于候选者的地位，并形成竞争态势。这些技术能否在生产中取得应用，取决于它们的技术成熟程度、设备成本、生产效率等。*光学光刻是通过光学系统以投影方法将掩模上的大规模集成电路器件的结构图形刻在涂有光刻胶的硅片上，限制光刻所能获得的最小特征尺寸直接与光刻系统所能获得的分辨率直接相关，而减小光源的波长是提高分辨率的最有效途径。因此，开发新型短波长光源光刻机一直是国际上的研究热点。目前，商品化光刻机的光源波长已经从过去的汞灯光源紫外光波段进入到深紫外波段（DUV），如用于0.25微米技术的KrF准分子激光（波长为248纳米）和用于0.18微米技术的ArF准分子激光(波长为193纳米)。除此之外，利用光的干涉特性，采用各种波前技术优化工艺参数也是提高光刻分辨率的重要手段。这些技术是运用电磁理论结合光刻实际对曝光成像进行深入的分析所取得的突破。其中有移相掩膜、离轴照明技术、邻近效应校正等。运用这些技术，可在目前的技术水平上获得更高分辨率的光刻图形。如1999年初Canon公司推出的FPA-1000ASI扫描步进机，该机的光源为193纳米ArF，通过采用波前技术，可在300毫米硅片上实现0.13微米光刻线宽。光刻技术包括光刻机、掩模、光刻胶等一系列技术，涉及光、机、电、物理、化学、材料等多个研究领域。目前科学家正在探索更短波长的F2激光（波长为157纳米）光刻技术。由于大量的光吸收，获得用于光刻系统的新型光学及掩模衬底材料是该波段技术的主要困难。*电子束光刻采用高能电子束对光刻胶进行曝光从而获得结构图形，由于其德布罗意波长为0.004纳米左右，电子束光刻不受衍射极限的影响，可获得接近原子尺度的分辨率。电子束光刻由于可以获得极高的分辨率并能直接产生图形，不但在VLSI制作中已成为不可缺小的掩模制工具，也是加工用于特殊目的的器件和结构的主要方法。目前的电子束曝光机的分辨率已达0.1微米以下。电子束光刻的主要缺点是生产效率较低，为每小时5~10个圆片，远小于目前光学光刻的每小时50~100个圆片的水平。最近，美国朗讯公司开发的角度限制散射投影电子束光刻SCALPEL技术令人瞩目，该技术如同光学光刻那样对掩模图形进行缩小投影，并采用特殊滤波技术去除掩模吸收体产生的散射电子，从而在保证分辨率条件下提高产出效率，应该指出，无论未来光刻采用何种技术，EBL都将是集成电路研究与生产不可缺少的基础设施。*离子束光刻采用液态原子或所态原子电离后形成的离子通过电磁场加速及电磁透镜的聚焦或准直后对光刻胶进行曝光。其原理与电子束光刻类似，但德布罗意波长更短（小于0.0001纳米），且有无邻近效应小、曝光场大等优点。离子束光刻主要包括聚焦离子束光刻（FIBL）、离子投影光刻