1《电子技术基础》-3 半导体三极管课件讲解.ppt

第三节双极型三极管*第二节半导体二极管*总目录下页电子技术基础石家庄铁路职业技术学院赵玉菊*半导体三极管*第三节双极型三极管三极管的结构三极管中载流子的运动和电流分配关系三极管的特性曲线三极管的主要参数总目录下页*半导体三极管晶体管(transistor)双极型三极管或简称三极管制作材料：分类：它们通常是组成各种电子电路的核心器件。双极型又称为：硅或锗NPN型PNP型下页上页首页*一、三极管的结构三个区发射区：杂质浓度很高基区：杂质浓度低且很薄集电区：无特别要求发射结集电结集电区基区发射区cbeNPN型三极管的结构和符号两个PN结发射结集电结三个电极发射极e基极b集电极c集电极ccollector基极bbase发射极eemitterNPN下页上页首页*RbRcEBECecb发射极电流二、三极管中载流子的运动和电流分配关系发射:发射区大量电子向基区发射。2.复合和扩散：电子在基区中复合扩散。3.收集：集电区将扩散过来的电子收集到集电极。同时形成反向饱和电流ICBO。IEICIBICNIENIBNICBO集电极电流基极电流下页上页首页*RbRcEBECecbIEICIBICNIENIBNICBOIC=ICN+ICBOIE=ICN+IBNIEN=ICN+IBNIE=IENIE=IC+IB下页上页首页整理以上公式得：IB=IBN-ICBO*β≈ICIBIE=IC+IB当ICEOIC时，可得β称为共射直流电流放大系数。ICEO=（1+β）ICBOICEO称为穿透电流。下页上页首页*IE=IC+IBIC≈βIBIE=（1+β）IB下页上页首页β=ΔICΔIBβ：共射交流电流放大系数。*三、三极管的特性曲线1.输入特性IB=f（UBE）UCE=常数UCE=0VUCE=2V当UCE大于某一数值后，各条输入特性十分密集，通常用UCE1时的一条输入特性来代表。UBE/ViB/μAO三极管的输入特性下页上页UBEib+-UCE=0VBBRbbec三极管的输入回路首页*2.输出特性iC/mAOuCE/ViB=80μА6040200IC=f(UCE)IB=常数饱和区放大区截止区：IB≤0的区域，IC≈0，发射结和集电结都反偏。2.放大区：发射结正偏集电结反偏ΔIC=βΔIB3.饱和区：发射结和集电结都正偏，UCE较小，IC基本不随IB而变化。当UCE=UBE时，为临界饱和；当UCEUBE时过饱和。截止区下页上页首页动画*（a）（b）（c）[例]判断图示各电路中三极管的工作状态。0.7VVT0.3V下页上页RbRcECEBVTRbRcECVT首页*四、三极管的主要参数2.反向饱和电流β=ΔICΔIBβ≈ICIBβ共射直流电流放大系数集电极和基极之间的反向饱和电流ICBO集电极和发射极之间的穿透电流ICEOICEO=（1+）ICBOβ两者满足1.电流放大系数共射电流放大系数β下页上页首页*3.极限参数a.集电极最大允许电流ICMiC/mAOuCE/V三极管的安全工作区过流区集射反向击穿电压U(BR)CEO集基反向击穿电压U(BR)CBOICUCE=PCM过压区安全工作区ICM过损耗区U(BR)CEOc.极间反向击穿电压b.集电极最大允许耗散功率PCM下页上页首页*下页上页五、PNP型三极管PNP型三极管的放大原理与NPN型基本相同，但外加电源的极性相反。~VBBuiRbRcVT+-uoVCC~VBBuiRbRcVT+-uoVCC首页上页首页谢谢收看第三节双极型三极管*第二节半导体二极管