原创力文档- 1、本文档共13页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
实验一功率场效应晶体管(MOSFET)特性与驱动电路
1．MOSFET主要参数测试
（1）开启阀值电压V测试
GS(th)
开启阀值电压简称开启电压，是指器件流过一定量的漏极电流时（通常取漏极电流
I=1mA)的最小栅源电压。
D
在主回路的“1”端与MOS管的“25”端之间串入毫安表，测量漏极电流I，将主回
D
路的“3”与“4”端分别与MOS管的“24”与“23”相连，再在“24”与“23”端间接入
电压表,测量MOS管的栅源电压Vgs，并将主回路电位器RP左旋到底，使Vgs=0。
图1-1
将电位器RP逐渐向右旋转，边旋转边监视毫安表的读数，当漏极电流I=1mA时的栅
D
源电压值即为开启阀值电压V。
GSth
（）
读取6—7组I、Vgs，其中I=1mA必测，填入表1—1。
DD
（3）转移特性I＝f（V）
DGS
栅源电压Vgs与漏极电流ID的关系曲线称为转移特性。
根据表1-1的测量数值，绘出转移特性。
3．驱动电路的输入、输出延时时间测试
将MOSFET单元的输入“1”与“4”分别与PWM波形发生器的输出“1”与“2”相
连，再将MOSFET单元的“2”与“3”、“9”与“4”相连，
在上述接线基础上，再将“5”与“8”、“6”与“7”、“10”、“11”与“12”相连，“13”、
“14”与“16”相连，用示波器观察输入“1”与“4”与驱动电路输出“18”与“9”之间
波形，记录延时时间t。
六．实验报告
1．根据所测数据，列出MOSFET主要参数的表格与曲线。
I（mA）0.30.70.811.52.02.5
D
Vgs（V）3.273.373.383.413.453.483.51
测得延时时间t=250ns
4．实验的收获、体会与改进意见。
答：将理论运用于实践，可以自己动手测量得出MOSFET的相关特性，再与课本的知
识相对照，更为深刻的理解了其开关特性。但是时间安排得太紧，好多实验内容老师都
说可以不做，但是我认为这种实验课应该跟课堂讲授同等重要，需要花时间去动手与理
解，而不是慌慌XX的做实验，应付而已。
六、思考题
1．栅极电阻的大小对MOSFET的开、关特性有何影响？为什么？
改变栅极电阻的大小可以改变开关速度，因为改变栅极电阻的大小会改变栅极回
路的时间常数大小，进而影响开关速度。
2．缓冲电路的作用是什么？加入缓冲电路对开关特性有何影响？
答：缓冲电路可以将开关损耗从器件内部转移到缓冲电路中，然后再消耗在缓冲电
路的电阻上，从而来降低MOSFET的开关损耗；如果没有栅极电阻，那栅极回路
在驱动器驱动脉冲的激励下要产生很强的振荡，因此必须串联一个电阻加以迅速衰
减。这便是缓冲电路的作用。
3．从理论上说，MOSFET的开、关时间是很短的，一般为纳秒级，但实验中所测得的
开、关时间却要大得多，你能否分析一下其中的原因吗？
答：可能是器件使用时间较长发生老化，同时实验设备中的电流和电压以与各种电
子元
文档评论（0）