集成电路制造技术原理与工艺第3版田丽课后参考答案.docxVIP

第一单元

1.以直拉法拉制掺硼硅锭，切割后获硅片，在晶锭顶端切下的硅片，硼浓度为3×1015atoms/cm3。当熔料的90%已拉出，剩下10%开始生长时，所对应的晶锭上的该位置处切下的硅片，硼浓度是多少?

已知：Cp=3×1015atoms/cm3;kp=0.35;由

得：

硅熔料中硼的初始浓度为：

COFCB/kp=3×1015/0.35≈8.57×1015atoms/cm3;

由C,=kC?(1-X)k-1得：

剩下10%熔料时，此处晶锭的硼浓度为：

C90%=kpC?×0.1kB-1=0.35×8.57×1015×0.10.35-1=1.34×1016

2.硅熔料含0.1%原子百分比的磷，假定溶液总是均匀的，计算当晶体拉出10%,50%,90%时的掺杂浓度。

已知：硅晶体原子密度为：5×1022atoms/cm3,含0.1%原子百分比的磷，熔料中磷浓度为：

C=5×1022×0.1%=5×1019atoms/cm3;kp=0.8

由C,=kC?(1-X)k-1计算得：

C10%=kpCp×0.9kp-1=0.8×5×1019×0.9-0.2=4.09×1019atoms/cm3

c50%=0.8×5×1019×0.5-0.2=