SJ∕T 2658.8-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第8部分：辐射强度.docxVIP

ICS31.080L53

备案号：52035-2015

中华人民共和国电子行业标准

SJ/T2658.8—2015

代替SJ/T2658.8—1986

半导体红外发射二极管测量方法第8部分：辐射强度

Measuringmethodforsemiconductorinfrared-emittingdiode—Part8:Radiantintensity

2015-10-10发布2016-04-01实施

中华人民共和国工业和信息化部发布

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SJ/T2658.8—2015

前言

SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分：——第1部分：总则；

——第2部分：正向电压；

——第3部分：反向电压和反向电流；——第4部分：总电容；

——第5部分：串联电阻；——第6部分：辐射功率——第7部分：辐射通量；——第8部分：辐射强度；

——第9部分：幅射强度空间分布和半强度角；——第10部分。调制带宽；

——第11部分：响应时回

——第12部分峰值发射波长和光谱辐射带宽；

——第13部：辐射功率温度系数——第14部分：结温；

——第15部分：热阻；

——第15部分；光电转换效率

本部分为SJ/T2658的第8部分。

本部分按照GBA—2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草。

本部分代替SJ/T2658.8—1986《半导体红外发光二极管测试方法法间辐射率的测试方法》,除编辑性修改外主要技术变化如下：

——修改了辐射强度的测量原理图(见图1);

——补充了辐射强度测量方法的规定条件(见5.3)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口

本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院。

本部分主要起草人：张戈、赵英。

本部分所代替标准的历次版本发布情况为：—SJ/T2658.8—1986。

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SJ/T2658.8—2015

半导体红外发射二极管测量方法第8部分：辐射强度

1范围

本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)辐射强度的测量原理图、测量步骤以及规定条件。

本部分适用于半导体红外发射二极管。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

GB/T2900.65—2004电工术语：照明

SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则CIE127:1997技术报告LED测量

3术语和定义

GB/T2900.65—2004界定的术语和定义适用于本文件。

4一般要求

测量辐射强度的一般要求应符合SJ/T2658.1的规定。

5测量方法

5.1测量原理图

辐射强度的测量原理图见图1。

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SJ/T2658.8—2015

说明：

DUT被测器件；G——电流源a;A电流表；

PD包括光阑D面积为人)的光度探测系统D?,D消除杂散光光样，D?,b.不应限制探测立体角d被测器件与光阑D?之向的距离。

注：调整被测器件使其机械轴通过测系统孔径的中心

对于脉冲测，流源所提供的电流脉冲应符合规定的幅度、宽度和重复频率。

b探测器上升时间对于脉冲宽度应测够小，系统应基一个值测量仪器，光度探测系统的灵徽度在被测器件发射的光谱波长范围内应校准到CE(国际照明委员会)称准光度观州者光谱曲线；测试辐射参数时应采用无光

谱选择性的光深测器座按距离d和光阑D,用标准器校正测试系统。测量距离d应按CE7:1997推荐的标准

条件A和B设置，具体如下：

a)标准条件A:《为316mn,立体角为0.001sr,平面角(全角)为2°;

b)标准条件B:d为100mm,立体角为0.01sr,平面角(全角)为6.5°。

在这两种条件下，所用的探测系统要求有一个面积为100mm2(相应直径为11.3mm)的圆人射孔径。图1辐射强度测量原理图

5.2测量步骤

辐射强度的测