SJ∕T 2658.9-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第9部分：辐射强度空间分布和半强度角.docxVIP

ICS31.080L53

备案号：52036-2015

中华人民共和国电子行业标准

SJ/T2658.9—2015

代替SJ/T2658.9—1986

半导体红外发射二极管测量方法

第9部分：辐射强度空间分布和半强度角

Measuringmethodforsemiconductorinfrared-emittingdiode

—Part9:Spatialdistributionofradiantintensityandhalf-intensityangle

2015-10-10发布2016-04-01实施

中华人民共和国工业和信息化部发布

I

SJ/T2658.9—2015

前言

SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分：——第1部分：总则；

第2部分：正向电压；

第3部分：反向电压和反向电流：——第4部分：总电容；

——第5部分：串联电阻——第6部分：辐射功率——第7部分：辐射通量——第8部分；辐射强度

——第9部分：辐射强度空间分布和半强度角；

——第10部分调制带宽—第11部分，响应时间；

——第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽；

——第3部分：辐射功率温度系数——第14部分：结温；

——第15部分：热阻；

——第16部分：光电转换效率本部分为SJ12658的第9部分。

本部分按照CBTL1—2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草。

本部分代替SJ2638.9—1986《半导体红外发光二极管测试方法辐射强度空间分布和半强度角的测试方法》,除编辑性修改外主要技术变化如下：

——修改了辐射强度空间分布和半强度角的测量原理图(见图1——细化了辐射强度空间分布和半强度角的测量步骤(见5.2)

——补充了辐射强度空间分布和半强度角测量方法的规定条件(见5.3)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。

本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院。本部分主要起草人：张戈、赵英。

本部分所代替标准的历次版本发布情况为：———SJ/T2658.9—1986。

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SJ/T2658.9—2015

半导体红外发射二极管测量方法

第9部分：辐射强度空间分布和半强度角

1范围

本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)辐射强度空间分布和半强度角的测量原理图、测量步骤以及规定条件。

本部分适用于半导体红外发射二极管。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

GB/T2900.65—2004电工术语：照明

GB/T15651—1995半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则

SJ/T2658.8半导体红外发射二极管测量方法第8部分：辐射强度CIE127:1997技术报告LED测量

3术语和定义

GB/T2900.65—2004和GB/T15651—1995界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

辐射强度空间分布spatialdistributionofradiantintensity

器件在规定的正向工作电流下，垂直和平行p-n结方向的辐射强度随空间角的分布。

4一般要求

测量辐射强度空间分布和半强度角的一般要求应符合SJ/T2658.1的规定。

5测量方法

5.1测量原理图

辐射强度空间分布和半强度角的测量原理图见图1。

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SJ/T2658.9—2015

说明：

DUT——被测器件；G电流源b:A——电流表；

PD包括面积为A的光阑D?的光度探测器；

D?,D?——消除杂散光光栏，D?,D?不应限制探测立体角；

d——被测LED器件与光阑D?之间的距离Z轴被测器件的光轴；

0—Z轴和面轴之间的夹角。

被测