SJ∕T 2658.4-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第4部分：总电容.docxVIP

ICS31.080L53

备案号：52031-2015

中华人民共和国电子行业标准

SJ/T2658.4—2015

代替SJ/T2658.4—1986

半导体红外发射二极管测量方法第4部分：总电容

Measuringmethodforsemiconductorinfrared-emittingdiode—Part4:Totalcapacitance

2015-10-10发布2016-04-01实施

中华人民共和国工业和信息化部发布

I

SJ/T2658.4—2015

前言

SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分： 第1部分：总则：

——第2部分：正向电压；

——第3部分：反向电压和反向电流；——第4部分：总电容；

——第5部分：串联电阻；

——第6部分：辐射功率；——第7部分：辐射通量；——第8部分：辐射强度；

——第9部分辐射强度空间分布和半强度角；—第10部分合调制带宽；

——第11部分：响应时间

——第12部分峰值发射波长和光谱辐射带宽；

—第13部分辐射功率温度系数——第14部分；结温；

——第15部分热阻；

——第16部分：光电转换效系本部分为SJ/T2658的第4部分。

本部分依据GB1—2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草。

本部分代替SJ/26584—1986《半导体红外发光二极管测试方法电容的测试方法》,除编辑性修改外主要技术变化如下

——细化了总电容的测量步骤(见5.2);

——补充了总电容测量方法的规定条件(见5.3)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。

本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口

本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院。

本部分主要起草人：张戈、赵英。

本部分所代替标准的历次版本发布情况为： SJ/T2658.4—1986。

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SJ/T2658.4—2015

半导体红外发射二极管测量方法第4部分：总电容

1范围

本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)总电容的测量原理图、测量步骤以及规定条件。

本部分适用于半导体红外发射二极管。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。3.1

总电容totalcapacitanceC

在规定的正向电压和频率下，被测器件两端的电容值。

4一般要求

测量总电容的一般要求应符合SJ/T2658.1的规定。

5测量方法

5.1测量原理图

总电容的测量原理图见1。

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SJ/T2658.4—2015

说明：

DUT被测器件；G———稳压源；A——电流表；V——电压表；

Mc电容仪；隔离电容

C?

L电感。

图1总电容测量原理图

5.2测量步骤

总电容的测量列步骤进行：

a)按图1连接测量系统，并进行仪器预

b)调节电容仪和稳压源，分别给被测器件施加规定的正向电压和规定频率的信号

c)读取电容仪的饮数，扣去隔离电容Co的等效值后即为被测器件的总电容值。

5.3规定条件

有关标准采用本方法时，应规定以下条件：

a)环境温度；

b)正向电压：

c)电容仪提供信号的频率和幅值。

SJT

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