2霍尔元件的结构和基本电路讲解.ppt

霍尔传感器霍尔元件的结构和基本电路二、根据霍尔效应，霍尔元件的材料应该具有较高的电阻率和载流子迁移率。一般金属的载流子迁移率很高，但其电阻率很小；绝缘体的电阻率极高，但其载流子迁移率极低。因此，只有半导体材料最适合制造霍尔元件。霍尔传感器目前，常用的霍尔元件材料有锗（Ge）、硅（Si）、砷化镓（GaAs）、砷化铟（InAs）和锑化铟（InSb）等。其中，N型硅具有良好的温度特性和线性度，灵敏度高，应用较多；锑化铟元件的霍尔输出电势较大，但受温度的影响也大；锗元件的输出虽然小，但它的温度性能和线性度却比较好；砷化铟与锑化铟元件相比较，前者输出电势小，受温度影响小，线性度较好。因此，采用砷化铟材料做霍尔元件受到普遍重视。霍尔传感器霍尔元件结构很简单，它由霍尔片、四根引线和壳体组成，如图4-10所示。图4-10霍尔元件的外形、结构、符号和基本电路霍尔传感器霍尔片是矩形半导体单晶薄片，国产霍尔片的大小一般为4mm×2mm×0.1mm。在元件长度方向的两个端面上焊有a、b两根控制电流端引线，通常用红色导线，其焊接处称为控制电流极（或称激励电极）；在元件另两侧端面的中间以点的形式对称地焊接c、d两根霍尔端输出引线，通常用绿色导线，其焊接处称为霍尔电极。霍尔元件的壳体采用非导磁金属、陶瓷或环氧树脂封装。霍尔传感器霍尔元件在电路中可用图4-10（c）所示的三种符号表示。标注时，国产元件常用H代表霍尔元件，后面的字母代表元件的材料，数字代表产品序号。例如，HZ-1元件表示用锗材料制作的霍尔元件，HT-1元件表示用锑化铟制作的霍尔元件，HS-1元件表示用砷化铟制作的霍尔元件。霍尔传感器（1）霍尔系数RH（霍尔常数）。在磁场不太强时，霍尔电势差UH与激励电流I和磁感应强度B的乘积成正比，与霍尔片的厚度δ成反比，即UH=RHIB/δ，式中的RH称为霍尔系数，它表示霍尔效应的强弱。另RH=μρ，即霍尔常数等于霍尔片材料的电阻率ρ与电子迁移率μ的乘积。（2）霍尔灵敏度KH（霍尔乘积灵敏度）。霍尔灵敏度与霍尔系数成正比，而与霍尔片的厚度δ成反比，它通常可以表征霍尔常数。（3）霍尔额定激励电流。当霍尔元件自身温升10℃时所流过的激励电流称为额定激励电流。霍尔传感器（4）霍尔最大允许激励电流。以霍尔元件允许最大温升为限制所对应的激励电流称为最大允许激励电流。（5）霍尔输入电阻。霍尔激励电极间的电阻值称为输入电阻。（6）霍尔输出电阻。霍尔输出电极间的电阻值称为输出电阻。（7）霍尔元件的电阻温度系数。在不施加磁场的条件下，环境温度每变化1℃时，电阻的相对变化率，用α表示，单位为%/℃。霍尔传感器（8）霍尔不等位电势（霍尔偏移零点）。在没有外加磁场和霍尔激励电流为I的情况下，在输出端空载测得的霍尔电势差称为不等位电势。（9）霍尔输出电压。在外加磁场和霍尔激励电流为I的情况下，在输出端空载测得的霍尔电势差称为霍尔输出电压。（10）霍尔电压输出比率。霍尔不等位电势与霍尔输出电势的比率。**