第1章-半导体二极管和三极管及基本放大电路.docVIP

第1章半导体二极管和三极管

?

1.1半导体的导电特性

半导体的导电特性：

热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强

(可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。

光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化(可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等)。

掺杂性：往纯洁的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变(可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管和晶闸管等〕。

本征半导体

完全纯洁的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。

共价键中的两个电子，称为价电子。

本征半导体的导电机理

价电子在获得一定能量〔温度升高或受光照〕后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子〔带负电〕，同时共价键中留下一个空位，称为空穴〔带正电〕。

这一现象称为本征激发。

温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。

在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动〔相当于正电荷的移动〕。

当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两局部电流

(1)自由电子作定向运动?电子电流

(2)价电子递补空穴?空穴电流

自由电子和空穴都称为载流子。

自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一定温度下，载流子的产生和复合到达动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。

注意：

(1)本征半导体中载流子数目极少,其导电性能很差；

(2)温度愈高，载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。

N型半导体和P型半导体

在本征半导体中掺入微量的杂质〔某种元素〕,形成杂质半导体。

掺入五价元素

掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或N型半导体。

在N型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。

掺入三价元素

掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或P型半导体。

在P型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。

无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。

第1章半导体二极管和三极管

空间电荷区也称PN结

1.2PN结

PN结的形成

空间电荷区也称PN结

1.2.2PN结的单向导电性

1.PN结加正向电压〔正向偏置〕

内电场被削弱，多子的扩散加强，形成较大的扩散电流。

PN结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。

2.PN结加反向电压〔反向偏置〕

内电场被加强，少子的漂移加强，由于少子数量很少，形成很小的反向电流。

PN结加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。

温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。

1.3半导体二极管

根本结构

(a)点接触型

结面积小、结电容小、正向电流小。用于检波和变频等高频电路。

(b)面接触型

结面积大、正向电流大、结电容大，用于工频大电流整流电路。

(c)平面型

用于集成电路制作工艺中。PN结结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。

二极管的结构示意图

伏安特性

主要参数

1.最大整流电流IOM

二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。

2.反向工作峰值电压URWM

是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是二极管反向击穿电压UBR的一半或三分之二。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。

3.反向峰值电流IRM

指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，IRM受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。

1.4稳压二极管

3.主要参数

(1)稳定电压UZ

稳压管正常工作(反向击穿)时管子两端的电压。

(2)电压温度系数?ｕ

环境温度每变化1?

(3)稳定电流IZ、最大稳定电流IZM

(5)最大允许耗散功率PZM=UZIZM

光电二极管

反向电流随光照强度的增加而上升。

有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似，正向电压较一般二极管高，电流为几~几十mA

1.5半导体三极管

根本结构

结构特点：

1.5.2电流分配和放大原理

1.三极管放大的外部条件

2.各电极电流关系及电流放大作用

1〕三电极电流关系IE=IB?+IC

2〕IC??IB，ICIE?

3〕?IC???IB

把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。

实质:用一