GB_T 4937.34-2024半导体器件 机械和气候试验方法 第 34部分功率循环.docxVIP

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中华人民共和国国家标准

GB/T4937.34—2024/IEC60749-34:2010

半导体器件机械和气候试验方法第34部分:功率循环

Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part34:Powercycling

(IEC60749-34:2010,IDT)

2024-03-15发布2024-07-01实施

国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会

发布

Ⅰ

GB/T4937.34—2024/IEC60749-34:2010

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

本文件是GB/T4937《半导体器件机械和气候试验方法》的第34部分。GB/T4937已经发布了

以下部分:

—第1部分:总则;

—第2部分:低气压;

—第3部分:外部目检;

—第4部分:强加速稳态湿热试验(HAST);—第11部分:快速温度变化双液槽法;

—第12部分:扫频振动;—第13部分:盐雾;

—第14部分:引出端强度(引线牢固性);—第15部分:通孔安装器件的耐焊接热;—第17部分:中子辐照;

—第18部分:电离辐射(总剂量);—第19部分:芯片剪切强度;

—第20部分:塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响;

—第20-1部分:对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输;—第21部分:可焊性;

—第22部分:键合强度;

—第23部分:高温工作寿命;

—第26部分:静电放电(ESD)敏感度测试人体模型(HBM);—第27部分:静电放电(ESD)敏感度测试机器模型(MM);—第30部分:非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理;

—第31部分:塑封器件的易燃性(内部引起的);—第32部分:塑封器件的易燃性(外部引起的);—第34部分:功率循环;

—第35部分:塑封电子元器件的声学显微镜检查;—第42部分:温湿度贮存。

本文件等同采用IEC60749-34:2010《半导体器件机械和气候试验方法第34部分:功率循

环》。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出并归口。

本文件起草单位:中国电子科技集团公司第十三研究所。本文件主要起草人:张艳杰、崔万国、裴选。

Ⅱ

GB/T4937.34—2024/IEC60749-34:2010

引言

半导体器件是电子行业产业链中的通用基础产品,为电子系统中的最基本单元,GB/T4937《半导体器件机械和气候试验方法》是半导体器件进行试验的基础性和通用性标准,对于评价和考核半导体器件的质量和可靠性起着重要作用,拟由44个部分构成。

—第1部分:总则。目的在于规定半导体器件机械和气候试验方法的通用准则。—第2部分:低气压。目的在于测定元器件和材料避免电击穿失效的能力。

—第3部分:外部目检。目的在于检测半导体器件的材料、设计、结构、标志和工艺质量是否符合采购文件的要求。

—第4部分:强加速稳态湿热试验(HAST)。目的在于规定强加速稳态湿热试验(HAST),以检测非气密封装半导体器件在潮湿环境下的可靠性。

—第5部分:稳态温湿度偏置寿命试验。目的在于规定稳态温湿度偏置寿命试验,以检测非气密封装半导体器件在潮湿环境下的可靠性。

—第6部分:高温贮存。目的在于在不施加电应力条件下,检测高温贮存对半导体器件的影响。

—第7部分:内部水汽测量和其他残余气体分析。目的在于检测封装过程的质量,并提供有关气体在管壳内的长期化学稳定性的信息。

—第8部分:密封。目的在于检测半导体器件的漏率。

—第9部分:标志耐久性。目的在于检测半导体器件上的标志耐久性。

—第10部分:机械冲击。目的在于检测半导体器件和印制板组件承受中等严酷程度冲击的适应能力