通信用光器件05讲解.pptxVIP

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通信用光器件

3本章内容?光源：半导体激光器和发光二极管。?光电检测器：PIN和APD光电二极管。?无源光器件：光连接器、光衰减器、光耦合器和光开关等。本章重点?激光器的工作原理。?光源和光电检测器工作原理及其工作特性。?无源光器件的功能及主要性能。本章难点?发光机理。通信用光器件

4学习本章目的和要求?了解半导体激光器的物理基础。?掌握半导体激光器和发光二极管工作原理及其工作特性。?熟悉光源的驱动电路工作原理。?掌握光电检测器的工作原理及特性。?掌握无源光器件的功能及主要性能。通信用光器件

5光电检测器光电检测器完成光/电信号的转换。对光检测器的基本要求是：①在系统的工作波长上具有足够高的响应度，即对一定的入射光功率，能够输出尽可能大的光电流；②具有足够快的响应速度，能够适用于高速或宽带系统；③具有尽可能低的噪声，以降低器件本身对信号的影响；④具有良好的线性关系，以保证信号转换过程中的不失真；⑤具有较小的体积、较长的工作寿命等。目前常用的半导体光电检测器有两种，PIN光电二极管和APD雪崩光电二极管。

6光电检测器的工作原理能级、导带，价带，禁带示意图：/2008/gqtxjs/article_content.asp?id=528光电检测器是利用半导体材料的光电效应实现光电转换的。光电效应如图1（a）和（b）所示。当入射光子能量hf小于禁带宽度Eg时，不论入射光有多强，光电效应也不会发生，即产生光电效应必须满足以下条件hf≥Eg（3-9）即光频fc＜的入射光是不能产生光电效应的，将fc转换为波长，则λc=。即只有波长λ＜λc的入射光，才能使这种材料产生光生载流子，故λc为产生光电效应的入射光的最大波长，又称为截至波长，相应的fc称为截至频率。

7光电检测器的工作原理图1半导体材料的光电效应n-p能带图：/2008/gqtxjs/article_content.asp?id=517

8PIN光电二极管PIN光电二极管是在掺杂浓度很高的P型、N型半导体之间，加一层轻掺杂的N型材料，称为I（Intrinsic，本征的）层。由于是轻掺杂，电子浓度很低，经扩散后形成一个很宽的耗尽层，如图2（a）所示。这样可以提高其响应速度和转换效率。结构示意图如图2（b）所示。图2PIN光电二极管

9PIN光电二极管的结构：/2008/gqtxjs/article_content.asp?id=584PIN光电二极管的电光转换原理:/2008/gqtxjs/article_content.asp?id=583PIN光电二极管

10雪崩光电二极管雪崩光电二极管，又称APD（AvalanchePhotoDiode）。它不但具有光/电转换作用，而且具有内部放大作用，其放大作用是靠管子内部的雪崩倍增效应完成的。1．APD的结构目前APD结构型式，有保护环型和拉通（又称通达）型。保护环型在制作时淀积一层环形N型材料，以防止在高反压时使P-N结边缘产生雪崩击穿。拉通型雪崩光电二极管（RAPD）的结构示意图和电场分布如图3所示。图3（a）所示的是纵向剖面的结构示意图。图3（b）所示的是将纵向剖面顺时针转90°的示意图。图3（c）所示的是它的电场强度随位置变化的分布图。APD随使用的材料不同有几种：Si-APD（工作在短波长区）；Ge-APD和InGaAs-APD（工作在长波长区）等。

11雪崩光电二极管图3RAPD的结构图和能带示意图APD结构：/2008/gqtxjs/article_content.asp?id=582APD场分布/2008/gqtxjs/article_content.asp?id=581

12雪崩光电二极管2．APD的雪崩效应APD的雪崩倍增效应，是在二极管的P-N结上加高反向电压，在结区形成一个强电场；在高场区内光生载流子被强电场加速，获得高的动能，与晶格的原子发生碰撞，使价带的电子得到了能量；越过禁带到导带，产生了新的电子—空穴对；新产生的电子—空穴对在强电场中又被加速，再次碰撞，又激发出新的电子—空穴对……如此循环下去，形成雪崩效应，使光电流在管子内部获得了倍增。APD就是利用雪崩效应使光电流得到倍增的高灵敏度的检测器。雪崩倍增效应示意图：/2008/gqtxjs/article_content.asp?id=58