2025江苏中职职教高考《机电一体化-电子技术基础》讲义知识考点复习资料.pdf

江苏职教高考

机电一体化类（电子技术基础）

模拟电路部分

考纲要点

1、了解晶体二极管的结构、符号、分类。

2、理解晶体二极管的伏安特性、主要参数，掌握硅、锗二极管门坎电压值、正向导通电压值，稳压管的原理、符号及

应用。

3、掌握单相半波整流电路、单相桥式整流电路的组成、工作原理、简单计算；掌握滤波器的概念及电容滤波的原理及

特点。

4、了解晶体三极管的结构、分类、符号和基本联接方式。

5、掌握晶体三极管的放大条件（偏置和工艺条件）、放大作用和电流分配关系。

6、理解晶体三极管的输入特性曲线、输出特性曲线（共发射极接法）及其三个工作区域的划分及用万用表简易测试三

极管的方法。

7、理解共发射极基本放大电路的组成，了解设置静态工作点的必要性。

8、熟练掌握用估算法求单级共发射极固定偏置电路（无发射极电阻）和分压式偏置电路（发射极电阻带有旁路电容）

的静态工作点、输入电阻、输出电阻和电压放大倍数。

9、能正确地画出固定偏置电路和分压式偏置电路的直流通路和交流通路。理解反馈的概念、掌握反馈类型判别方法及

了解负反馈的作用。

10、理解工作在线性区的理想集成运算放大器的几个重要特性。

11、熟练掌握比例运算电路（反相输入、同相输入）、加法运算电路和减法运算电路的分析方法、并且会定量计算。

12、了解用集成运算放大器组成的反相器和电压跟随器，了解集成运算放大器的使用常识。

13、掌握自激振荡的工作原理及LC振荡器的判别方法。

14、掌握三端集成稳压器的功能及典型线路分析

一、半导体的基础知识

知识点1本征半导体

根据物体导电能力（电阻率）的不同来划分导体、绝缘体和半导体。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs

等。

根据最外层电子数量不同进行分类。

现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。完全纯净的、结构完整的

半导体晶体，称为本征半导体。

1

硅（锗）的原子结构硅（锗）的共价键结构

复合：自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成对消失的过程。

漂移：自由电子和空穴在电场作用下的定向运动。

空穴：空穴可在共价键内移动。

两种载流子：电子（自由电子）；空穴

两种载流子的运动：自由电子（在共价键以外）的运动；空穴（在共价键以内）的运动

半导体的导电特征：

在外电场的作用下，自由电子逆着电场方向定向运动形成电子电流IN。空穴顺着电场方向移动，形成空穴电流IP。

结论：

1.本征半导体中电子空穴成对出现，且数量少；

2.半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电；

2

3.本征半导体导电能力弱，并与温度、光照等外界条件有关。

本征半导体中由于载流子数量极少，导电能力很弱。如果有控制、有选择地掺入微量的有用杂质（某种元素），

将使其导电能力大大增强，成为具有特定导电性能的杂质半导体。

知识点2杂质半导体

在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价

元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。

N型半导体——掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。

P型半导体——掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。

（1）N型半导体（掺入五价杂质原子）

由于五价杂质原子可提供自由电子，因此也称为施主杂质。

电子空穴对——由热激发而产生的自由电子和空穴对。

在N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子，由热激发形成。

（2）P型半导体（三价杂质原子）

空穴的运动

电子空穴对——由热激发而产生的自由电子和空穴对。

三价杂质原子可提供空穴可接受自由电子，空穴很容易俘获电子因此也称为授主杂质。

3

在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由杂质原子提供；电子是少数载流子，由热激发形成。

知识点3PN结

1.PN结的形成

2.PN结的单向导电性（理解）

3.PN结的反向击穿

1.PN结