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烟台大学机电学院微机原理与接口技术－－基于IA-32处理器和32位汇编语言·第4版第1章微型计算机系统第10章逻辑与数字控制电路10.1二值逻辑控制与驱动电路10.2数控机床控制驱动电路10.3数控机床控制指令与编程坐标系10.4数控机床的插补原理10.5可编程逻辑器件10.0概述逻辑控制电路,实现逻辑状态“1真”,与“0非”的控制.这两种基本状态通过空间和时间上的并联与串联构成不同的复合逻辑控制组态,形成了各种用途的逻辑控制电路.控制实例:灯光的亮,灭/电动机的转,停/阀门的开关“弱电”控制“强电”PLC(可编程控制器)10.1二值逻辑控制与驱动电路10.1.1功率开关驱动电路按照电路中所采用的功率器件类型分类，常见的有晶体管驱动电路、场效应管驱动电路和晶闸管驱动电路等类型。按照电路所驱动的负载类型分类，常见的有电阻性负载驱动电路和电感性负载(电机,继电器,电磁阀)驱动电路等类型。按照电路所控制的负载电源类型分类，常见的有直流电源负载驱动电路和交流电源负载驱动电路等类型10.1.1.1晶体管直流负载功率驱动电路如果负载所需的电流不太大，可采用如图所示的晶体管直流负载功率驱动电路。这里负载用ZL而不用RL表示，是强调该负载可以是电阻性负载，也可以是电抗性负载。VD是续流二极管，对晶体管V起保护作用。当驱动感性负载时，在晶体管关断瞬间，感性负载所存储的能量可通过VD的续流作用而泄放，从而避免晶体管被反向击穿晶体管控制直流负载(续)当控制信号Ui为低电平时，Ib较小,晶体管V截止，负载ZL中电流IL为0；当控制信号Ui为高电平时，Ib较大,晶体管V导通（工作于饱和区），负载ZL中电流IL=(Ec－Uce)/ZL，Uce为晶体管V集电极与发射极间的饱和电压降。晶体管工作的三个区域:截止区,饱和区,放大区晶体管控制直流负载(续)设计要点:合理确定Ui、R与三极管V的电流放大系数?值之间的数值关系，充分满足Ib?IL/?，可确保V导通时工作于饱和区，以降低V的导通电阻及减小功耗。当所需的负载电流IL较大时，由于单个晶体管的?值有限，Ib必须很大，以确保V导通时工作于饱和区。为减小对控制信号电流强度的要求，可采用达林顿器件（通常也称复合晶体管）构成功率驱动电路晶体管控制直流负载(续)晶体管组成的功率驱动控制电路满足负载电流IL500mA电器的需要.如3DG102,T8050等(9012,9013系列)采用达林顿器件的负载电流可达0.5-15A,常用的器件有2S6039,BD651,S1500110.1.1.2场效应晶体管直流负载功率驱动电路用于功率驱动电路的场效应晶体管称为功率场效应晶体管。功率场效应晶体管是电压控制器件，具有很高的输入阻抗，所需的驱动功率很小，对驱动电路要求较低。功率场效应晶体管具有较高的开启阈值电压，有较高的噪声容限和抗干扰能力。场效应晶体管大多数为绝缘栅型场效应管，亦称MOS场效应管。功率场效应晶体管在制造中多采用V沟槽工艺，简称为VMOS场效应管。其改进型则称为TMOS场效应管场效应晶体管功率驱动电路场效应晶体管功率驱动电路—解释当控制信号Ui小于开启电压UGS时，V截止，直流负载ZL中电流IL为0；当控制信号Ui大于开启电压UGS时，V导通，直流负载RL中电流IL=Ec/（ZL＋RDS）。式中RDS为V漏极D与源极S间的导通电阻。电路中稳压二极管VS对功率场效应晶体管实施保护。常用的功率场效应管有IRF250,IRF350,IRF640等10.1.1.3晶闸管交流负载功率驱动电路交流负载的功率驱动电路，通常采用晶闸管来构成。晶闸管有单向晶闸管和双向晶闸管两种类型。单向晶闸管亦称单向可控硅(SCR),图形符号如下图.其中阳极A与阴极K是主电极，门极G是控制电极。单向晶闸管的导通与关断单向晶闸管的工作状况可用两个条件予以说明，一是导通条件，二是关断条件。导通条件在阳极A与阴极K之间加正向电压，同时在门极G与阴极K之间加正向电压（触发），这样阳极A与阴极K之间即进入导通状态。晶闸管一旦导通，只要阳极A与阴极K之间的电流不小于其维持电流IH，门极G与阴极K之间是否还存在正向电压，对已经导通的晶闸管完全没有影响。关断条件主电极阳极A与阴极K之间的电流小于其维持电流IH，晶闸管即进入关断状态。双向晶闸管双向晶闸管亦称双向半导体开关元件（TRIAC）双向晶闸管图形符号如下图.电极MT1与电极MT2是主电极，门极G是控制电极，触发电压应施加在门极G与电极MT2之间。双向晶闸管(续)与单向晶闸管相比较