半导体光电材料-材物.pptx

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半导体光电材料;半导体光电材料的发展;半导体激光器材料;态密度和量子限制效应;吸收系数与光子能量的关系;粒子数分布反转条件:当吸收系数α(?υ)0时,光波在媒质中传播获得增益,这时吸收系数用增益表示。fv-fc0,即Fc-FvEc-Ev=?υ?产生受激辐射

入射光子激发电子从导带到价带跃迁,并伴随发射一个与入射光子具有相同能量、相位以及传播方向的光子----受激辐射。

形成粒子数反转的条件:大量的注入载流子

(通过在有源层两边,采用合适的掺杂层形成pn结来实现。)

;不限制载流子和光波,会导致极高的阈值电流密度和很差的输出光波模式。

限制载流子和光波可采用异质结构实现。

(双异质结构(DH)是第一个完成上述两种限制的结构)

激光阈值条件:半导体要获得激光输出,辐射必须是相干的,并且增益至少不小于损耗。

对半导体激光器的主要要求:低的工作电流、高的输出功率、高电光转换效率和较佳的温度特性。;紫外至可见光量子阱激光器材料;红外波段量子阱激光器材料;中远红外量子级联激光器材料;量子线、量子点激光器材料;量子线、量子点的制造技术;半导体光电探测器基础;光电导型光电探测器;光伏型光电探测器;光电探测器工作性能参数;宽禁带紫外光电探测器材料;短波红外新型光电探测器材料

中波、长波红外量子阱光电探测器材料

光电子集成电路及光子集成电路材料

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