基于近场直写微纳喷印的三维光栅喷印工艺及其装置.docVIP

作品名称：基于近场直写微纳喷印的三维光栅喷印工艺及其装置

大类：科技发明制作A类

小类：机械与控制

简介：微纳领域的制造与加工一直都受到国际学术界和工业界的高度重视，超精密制造检测器件——光栅尺的制造是目前在微纳加工的工业制造领域里面的核心领域。本作品旨在提出一种光栅尺制造方法：以增材制造思路，利用现在倍受国际微纳制造界关注的电流体动力近场直写喷印技术沉积光栅尺栅线，可以直写喷印直径小于5um栅距最小可达1um的聚合物的微纳米结构栅线，是一种具有微线宽高精度高速度及高效率的光栅尺栅线制造工艺。

详细介绍：微纳领域的制造与加工一直都受到国际学术界和工业界的高度重视，超精密制造检测器件——光栅尺的制造是目前在微纳加工的工业制造领域里面的核心领域。国内传统光栅尺刻画整体存在：刻线密度低，刻线宽度只能大于等于10μm,传统LIGA及压印设备成本及维护成本高，核心制造技术一直都被外国企业秘密掌握，制作流程复杂，综合废品率及废品成本高等缺陷。本作品旨在提出一种光栅尺制造方法：以增材制造思路，利用现在倍受国际微纳制造界关注的电流体动力近场直写喷印技术沉积光栅尺栅线，可以直写喷印尺寸小于5μm的聚合物的微纳米结构栅线，通过简化后期处理流程及处理工艺降低废品率，是一种具有微线宽高精度高速度及高效率的光栅尺栅线制造工艺。本作品发明一种基于近场直写微纳喷印的三维光栅喷印工艺，以增材制造思路，利用电流体动力近场直写喷印技术，可以实现自上而下（TopDown）制造聚合物的微纳米结构，再通过后期的镀膜，刻蚀地板材料等的后期处理形成光栅尺。【该工艺及其第一代装置已申请：发明专利《一种便携式光栅尺主尺刻画器及其刻画方法》（实审阶段）；中试阶段装置申请专利；实用新型《一种电磁栅尺结构》（有效专利）；发明专利《一种电磁栅尺结构及其位移信息读取方法》（实审阶段）】该部分对应的是应用创新，及用近场直写技术进入光栅尺制造领域，是一项应用创新。在上述工艺的基础上，该作品设计了以下的硬件和软件系统来保证光栅尺的栅线制造工艺参数。1复合电场喷头及其闭环控制系统，基于电流体喷印（EHD）的交变电场电荷重排布，垒叠式电场平衡策略交变电平衡策略以及机电耦合高速离心涂覆二级电场加速，有效抑制电荷高度密集的喷头锥尖所产生的扰动。沉积所得的栅线半径小于5μm,光栅尺栅距约为1μm，与国外高等品质光栅尺的栅线制造工艺参数持平，高于国内现有光栅尺制造水平。【喷头部分的关键装置及其工艺：实用新型《可控波形微纳米纤维的生成装置》（有效专利）；发明专利《一种可控波形微纳米纤维的生成装置》（实审阶段）；控制聚合物栅线线径的核心部件及其关键工艺：发明专利《一种可控口径的3D打印喷头及其控制方法》（实审阶段）；实用新型：《一种可控口径的3D打印喷头》（有效专利）】对应项目工艺创新或发明部分，主要是喷头硬件的创新2设计基于四轴微动平台加工装置的数控系统，能实时喷印锥尖目标化采集，并将锥尖目标化数组与训练样本比对反馈角度信号部分对喷头复合电场进行闭环控制，所刻划的光栅尺栅线边沿与传统的机械刻划以及光刻相比，克服了机械刻划的抖动以及光刻的不均匀量，使得栅线边沿得到了改善。【该系统登记计算机软件著作权两份：《近场直写微纳喷印装置数控系统》，《基于近场直写微纳喷印装置的图像目标量检测比对信号发生系统》】[该处论述专利对应项目的什么部分]电流体动力近场直写喷印技术在上述系统的作用下，沉积出泰勒锥相对抖动误差小于508%，沉积出的栅线满足沉积稳定性及光栅栅线均匀的性能要求，而且栅线直径最小可达500nm，光栅无互斥沉积最小距离可达1μm，该工艺参数与国外高等品质光栅尺的栅线制造工艺参数持平，高于国内光栅尺制造水平。

获奖情况：第十四届“挑战杯”特等奖