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本文采用两步法成功制备了大面积均匀致密的MoS2薄膜忆阻器，并设计并制备了一种具有CuMoSCu平面结构的忆阻器件实验结果显示，该器件具有较高的稳定性可重复性和良好的抗干扰性能同时，通过使用二维2D纳米材料，MoS2在可调带隙载流子浓度高集成密度和柔性可穿戴等方面具有显著优势，尤其是在视觉识别语音解析任务决策操作控制等领域尽管目前MoS2心理突触的记忆回路仍然以传统的三明治堆积为主，但通过技术上的改进和优化，MoS2的电路板结构将得到改善研究还发现，该片
摘要
摘要
与传统的冯诺依曼架构体系相比，忆阻器与生物突触和神经元相仿，同时还具
有较小的尺寸、响应速度快且时间短、功耗低和可大规模集成等优点，受制于硬件
（材料、机制、稳定性、功耗和工艺集成等）和软件（训练、算法和自我学习等）
方面仍然存在挑战，用忆阻器构建类脑计算机的道路依然漫长。许多研究人员致力
于开发新型忆阻器、改进忆阻器的结构以及筛选出新的功能层材料，从而实现忆阻
器在视觉识别、语音解析、任务决策、操作控制等不同领域的
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