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光电传感器实验心得

篇一：光电传感器实验

Dh-sJ3光电传感器物理设计性实验装置

（实验指导书）

实

验

讲

义

请勿带走

杭州大华科教仪器研究所

杭州大华仪器制造有限公司

Dh-sJ3光电传感器物理设计性实验装置

光敏传感器是将光信号转换为电信号的传感器，也称为光电式传感器，它可

用于检测直接引起光强度变化的非电量，如光强、光照度、辐射测温、气体成分

分析等；也可用来检测能转换成光量变化的其它非电量，如零件直径、表面粗糙

度、位移、速度、加速度及物体形状、工作状态识别等。光

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敏传感器具有非接触、响应快、性能可靠等特点，因而在工业自动控制及智能机

器人中得到广泛应用。

光敏传感器的物理基础是光电效应，即光敏材料的电学特性都因受到光的照

射而发生变化。光电效应通常分为外光电效应和内光电效应两大类。外光电效应

是指在光照射下，电子逸出物体表面的外发射的现象，也称光电发射效应，基于

这种效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。内光电效应是指入射的光强改变

物质导电率的物理现象，称为光电导效应。大多数光电控制应用的传感器，如光

敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、硅光电池等都是内光电效应类传感器。当然

近年来新的光敏器件不断涌现，如：具有高速响应和放大功能的ApD雪崩式光电

二极管，半导体光敏传感器、光电闸流晶体管、光导摄像管、ccD图像传感器

等，为光电传感

器的应用开创了新的一页。本实验主要是研究光敏电阻、硅光电池、光敏二极

管、光敏三极管四种光敏传感器的基本特性以及光纤传感器基本特性和光纤通讯

基本原理。

一、实验目的

1、了解光敏电阻的基本特性，测出它的伏安特性曲线和光照特性曲线。

2、了解光敏二极管的基本特性，测出它的伏安特性和

光照特性曲线。

3、了解硅光电池的基本特性，测出它的伏安特性曲线

和光照特性曲线。

4、了解光敏三极管的基本特性，测出它的伏安特性和光照特性曲线。

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5、了解光纤传感器基本特性和光纤通讯基本原理。

二、光敏传感器的基本特性及实验原理

1、伏安特性

光敏传感器在一定的入射光强照度下，光敏元件的电流

I与所加电压u之间的关系称为光敏器件的伏安特性。改变照度则可以得到一组伏

安特性曲线，它是传感器应用设计时选择电参数的重要依据。某种光敏电阻、硅

1234

光电池、光敏二极管、光敏三极管的伏安特性曲线如图、图、图、图

所示。

1

12

图光敏电阻的伏安特性曲线图硅光电池的伏安特性曲线

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图光敏二极管的伏安特性曲线图光敏三极管的伏安特性曲线

从上述四种光敏器件的伏安特性可以看出，光敏电阻类似一个纯电阻，其伏

安特性线性良好，在一定照度下，电压越大光电流越大，但必须考虑光敏电阻的

最大耗散功率，超过额定电压和最大电流都可能导致光敏电阻的永久性损坏。光

敏二极管的伏安特性和光敏三极管的伏安特性类似，但光

敏三极管的光电流比同类型的光敏二极管大好几十倍，零偏压时，光敏二极管有

光电流输出，而光敏三极管则无光电流输出。在一定光照度下硅光电池的伏安特

性呈非线性。

2、光照特性

光敏传感器的光谱灵敏度与入射光强之间的关系称为光照特