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SolvedwithCOMSOLMultiphysics5.2
SchottkyContact
ThisbenchmarksimulatesthebehaviorofanidealSchottkybarrierdiodemadeofa
tungstencontactdepositedonasiliconwafer.TheresultingJ-V(currentdensityversus
appliedvoltage)curveobtainedfromthemodelunderforwardbiasiscomparedwith
experimentalmeasurementsfoundintheliterature.
Introduction
Whenametalisbroughtincontacttoasemiconductor,apotentialbarrierformsatthe
contact.Thisismainlyaconsequenceoftheworkfunctiondifferencweenthe
metalandthesemiconductor.
Inthismodel,theidealSchottkycontactisusedtomodelthebehaviorofasimple
Schottkybarrierdiode.Theuseoftheword“ideal”impliesherethatsurfacestates,
imageforcelowering,tunneling,anddiffusioneffectsareneglectedinthe
computationofthecurrenttransferredbetweenthesemiconductorandthemetalat
theinterface.
NotethatidealSchottkycontactsarecharacterizedbyathermioniccurrentthat
dependsmostlyontheappliedbiasandbarrierheightofthemetal-semiconductor
contact.Thesecontactusuallyoccurinnon-degeneratesemiconductorswithdoping
16-3
concentrationslessthan1×10cmatroomtemperature.
ModelDefinition
Thisulatesthebehaviorofatungsten-semiconductorSchottkybarrier
diode.Figure1showsthegeometryofthemodeleddevices.Itconsistsofann-doped
16-3
siliconwafer(Nd=1×10cm)ontopofwhichatungstencontacthasbeen
deposited.
Themodelcomputesthecurrentdensityobtainedunderforwardbias(from0to
0.25V)andcomparestheresultingJ-Vcurvewithexperimentalmeasurements
presentedinRef.1.
Thismodelusesthedefaultsiliconmaterialprope
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