【英语版】国际标准 ISO 14706:2000 EN 表面化学分析 利用全反射 X 射线荧光 (TXRF) 光谱测定硅晶片表面元素污染情况 Surface chemical analysis — Determination of surface elemental contamination on silicon wafers by total-reflection X-ray fluorescence (TXRF) spectroscopy.pdf

ISO14706:2000EN是关于表面化学分析的标准，特别是通过全反射X射线荧光光谱法（TXRF）来测定硅晶圆表面元素污染物的分析方法。

TXRF是一种非常常见的元素分析技术，通过发射X射线来分析表面元素。它的基本原理是利用反射表面上的反射层和基质对辐射的散射截面的差异来进行分析。通过检测发射的X射线，可以确定表面的元素成分。

这种方法可以用来分析表面元素的浓度，也可以用来研究表面元素分布的情况。这为研究人员提供了非常有用的信息，比如表面的污染情况，元素的组成，以及表面变化等。TXRF也经常用于检测化学镀层，镀层的质量以及分布都可以通过TXRF来得到评估。

使用TXRF方法需要预先处理样品以除去可能干扰测量的干扰物。一般来说，会采用湿化学或者电子束刻蚀等方法来进行处理。在进行处理之前，可能需要用到其它的一些设备和技术，比如光学显微镜、电子显微镜等。

ISO14706:2000EN标准提供了一种重要的技术手段，用于研究和分析硅晶圆表面的元素污染情况，这对于理解工艺过程、优化生产过程以及评估产品质量等方面都具有重要的意义。