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文档版本V1.0
发布日期2019-11-8
CB6121开发板设计说明
CB6212开发板设计说明
目录
1简介3
2MCU3
2.1MCU简介3
2.2最小系统3
3外设资源8
3.1电源8
3.2JTAG9
3.3LED9
3.4UART10
CB6212开发板设计说明
1简介
CB6121为PHY6212芯片的配套开发板。本文档用于说明CB6212的板载资源、MCU最小系
统电路设计、开发板外围电路设计等注意事项。
2MCU
2.1MCU简介
CH6121芯片内核是基于32-bitRSICCPU,138KBSRAM,512KBFlash,CH6121芯片系统
框图入下。
图1CH6121框图
2.2最小系统
MCU核心电路设计需要注意电源、晶振等关键电路的设计,最小系统参考电路如下:
CB6212开发板设计说明
CB6212开发板设计说明
图2CH6121最小系统设计
1)CH61211.8V-3.6VDCDCLDO
芯片工作电压范围为,芯片集成了降压型和,无需额
外增加电源芯片。
2)DVDD3(PIN9)AVDD3(PIN16)C7C4Pin
和的滤波稳压电容和需要靠近芯片脚放置,
电源走线宽度大于10mil。
CB6212开发板设计说明
3)16MPin17Pin18
晶振尽量靠近芯片管脚和放置,需要做包地处理。
4)芯片内部的32.768KHZRC振荡电路频偏大于500ppm,如果对精度有更高要求,需要
使用外置的32.768KHZCRYSTAL,芯片内部软件可配置的负载电容为3pF左右,频偏为
200-300ppmC100C101
,如果对精度有更高要求需要增加额外的负载电容和,推荐值为
22pF。
CB6212开发板设计说明
5)C8C11
和是芯片内部电源的滤波电容,需要靠近芯片管脚放置。
6)L1C9C10C12DCDC
电感和、、是芯片内部电路的一部分,元器件的摆放要尽量紧凑,
避免引入过高寄生参数。
CB6212开发板设计说明
7)TMTM
烧录模式下,拉高;正常工作时拉低。
8)使用环境需要考虑电磁干扰时,电源输入端需要增加ESD防护。
3
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