CB6121 开发板设计说明.PDFVIP

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标题CB6121开发板设计说明内容文档版本V10发布日期2019118文档概述1简介包含关于CB6121的设计说明,包括硬件资源MCU最小系统设计开发板外围电路设计等2MCU高速内存容量CH6121芯片内核支持32位RSICCPU低功耗技术通过使用C7C4及C7C10C11和C12电容来降低设备的功耗3最小系统控制单元设计内置电源和晶振控制单元,以及外部电源电路

文档版本V1.0

发布日期2019-11-8

CB6121开发板设计说明

CB6212开发板设计说明

目录

1简介3

2MCU3

2.1MCU简介3

2.2最小系统3

3外设资源8

3.1电源8

3.2JTAG9

3.3LED9

3.4UART10

CB6212开发板设计说明

1简介

CB6121为PHY6212芯片的配套开发板。本文档用于说明CB6212的板载资源、MCU最小系

统电路设计、开发板外围电路设计等注意事项。

2MCU

2.1MCU简介

CH6121芯片内核是基于32-bitRSICCPU,138KBSRAM,512KBFlash,CH6121芯片系统

框图入下。

图1CH6121框图

2.2最小系统

MCU核心电路设计需要注意电源、晶振等关键电路的设计,最小系统参考电路如下:

CB6212开发板设计说明

CB6212开发板设计说明

图2CH6121最小系统设计

1)CH61211.8V-3.6VDCDCLDO

芯片工作电压范围为,芯片集成了降压型和,无需额

外增加电源芯片。

2)DVDD3(PIN9)AVDD3(PIN16)C7C4Pin

和的滤波稳压电容和需要靠近芯片脚放置,

电源走线宽度大于10mil。

CB6212开发板设计说明

3)16MPin17Pin18

晶振尽量靠近芯片管脚和放置,需要做包地处理。

4)芯片内部的32.768KHZRC振荡电路频偏大于500ppm,如果对精度有更高要求,需要

使用外置的32.768KHZCRYSTAL,芯片内部软件可配置的负载电容为3pF左右,频偏为

200-300ppmC100C101

,如果对精度有更高要求需要增加额外的负载电容和,推荐值为

22pF。

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5)C8C11

和是芯片内部电源的滤波电容,需要靠近芯片管脚放置。

6)L1C9C10C12DCDC

电感和、、是芯片内部电路的一部分,元器件的摆放要尽量紧凑,

避免引入过高寄生参数。

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7)TMTM

烧录模式下,拉高;正常工作时拉低。

8)使用环境需要考虑电磁干扰时,电源输入端需要增加ESD防护。

3

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