宽安全工作区SOI-LDMOS的分析与设计.docx

宽安全工作区SOI-LDMOS的分析与设计

摘要

现如今，随着功率集成电路的蓬勃发展和器件的集成度不断增加，智能半导体功率器件在日常的运用过程中因为过热导致器件失效的的问题显著突出，器件能够正常工作的安全工作区是半导体器件制备过程中需要重要考虑的一个问题。SOI-LDMOS器件是智能功率集成电路中重要元器件，它有着重要的作用，可以实现电路中高低电平的转换，在塔工作的过程中需要器件具备宽安全工作区和低导通电阻还有高耐压等特点，从而在不同环境下也能够稳定可靠的工作。这次设计有关SOI-LDMOS器件的静态电安全工作区和热安全工作区的触发机理研究，这次实验借助使用的工具是Silva