物理法拉第电磁感应定律的专项培优-易错-难题练习题及详细答案.doc

物理法拉第电磁感应定律的专项培优易错难题练习题及详细答案

一、法拉第电磁感应定律

1．如图所示，正方形单匝线框bcde边长L＝0.4m，每边电阻相同，总电阻R＝0.16Ω.一根足够长的绝缘轻质细绳跨过两个轻小光滑定滑轮，一端连接正方形线框，另一端连接物体P，手持物体P使二者在空中保持静止，线框处在竖直面内．线框的正上方有一有界匀强磁场，磁场区域的上、下边界水平平行，间距也为L＝0.4m，磁感线方向垂直于线框所在平面向里，磁感应强度大小B＝1.0T，磁场的下边界与线框的上边eb相距h＝1.6m．现将系统由静止释放，线框向上运动过程中始终在同一竖直面内，eb边保持水平，刚好以v＝4.0m/s的速度进入磁场并匀速穿过磁场区，重力加速度g＝10m/s2，不计空气阻力．

（1）线框eb边进入磁场中运动时，e、b两点间的电势差Ueb为多少？

（2）线框匀速穿过磁场区域的过程中产生的焦耳热Q为多少？

（3）若在线框eb边刚进入磁场时，立即给物体P施加一竖直向下的力F，使线框保持进入磁场前的加速度匀加速运动穿过磁场区域，已知此过程中力F做功WF＝3.6J，求eb边上产生的焦耳Qeb为多少？

【答案】（1）1.2V（2）3.2J（3）0.9J

【解析】

【详解】

(1)线框eb边以v=4.0m/s的速度进入磁场并匀速运动，产生的感应电动势为：

因为e、b两点间作为等效电源，则e、b两点间的电势差为外电压：

Ueb=E=1.2V.

(2)线框进入磁场后立即做匀速运动，并匀速穿过磁场区，线框受安培力：

F安=BLI

根据闭合电路欧姆定律有：

I=

联立解得解得F安=4N

所以克服安培力做功：

而Q=W安，故该过程中产生的焦耳热Q=3.2J

(3)设线框出磁场区域的速度大小为v1，则根据运动学关系有：

而根据牛顿运动定律可知：

联立整理得：

(M+m)(?-v2)=(M-m)g·2L

线框穿过磁场区域过程中，力F和安培力都是变力，根据动能定理有：

WF-W安+(M-m)g·2L=(M+m)(?-v2)

联立解得：

WF-W安=0

而W安=?Q，故Q=3.6J

又因为线框每边产生的热量相等，故eb边上产生的焦耳热：

Qeb=Q=0.9J.

答：(1)线框eb边进入磁场中运动时，e、b两点间的电势差Ueb=1.2V.

(2)线框匀速穿过磁场区域的过程中产生的焦耳热Q=3.2J.

(3)eb边上产生的焦耳Qeb=0.9J.

2．如图所示，电阻不计的相同的光滑弯折金属轨道MON与均固定在竖直平面内，二者平行且正对，间距为L=1m，构成的斜面跟水平面夹角均为，两侧斜面均处在垂直斜面向上的匀强磁场中，磁感应强度大小均为B=0.1T．t=0时，将长度也为L=1m，电阻R=0.1Ω的金属杆ab在轨道上无初速释放．金属杆与轨道接触良好，轨道足够长．重力加速度g=10m/s2；不计空气阻力，轨道与地面绝缘．

（1）求t=2s时杆ab产生的电动势E的大小并判断a、b两端哪端电势高

（2）在t=2s时将与ab完全相同的金属杆cd放在MOOM上，发现cd杆刚好能静止，求ab杆的质量m以及放上cd杆后ab杆每下滑位移s=1m回路产生的焦耳热Q

【答案】(1)；端电势高；(2)0.1kg；

【解析】

【详解】

解：(1)只放杆在导轨上做匀加速直线运动，根据右手定则可知端电势高；

杆加速度为：

时刻速度为：

杆产生的感应电动势的大小：

(2)时ab杆产生的回路中感应电流：

对杆有：

解得杆的质量：

则知ab杆的质量为0.1kg

放上杆后，ab杆做匀速运动，减小的重力势能全部产生焦耳热

根据能量守恒定律则有：

3．如图，水平面（纸面）内同距为的平行金属导轨间接一电阻，质量为m、长度为的金属杆置于导轨上，t＝0时，金属杆在水平向右、大小为F的恒定拉力作用下由静止开始运动．时刻，金属杆进入磁感应强度大小为B、方向垂直于纸面向里的匀强磁场区域，且在磁场中恰好能保持匀速运动．杆与导轨的电阻均忽略不计，两者始终保持垂直且接触良好，两者之间的动摩擦因数为．重力加速度大小为g．求

（1）金属杆在磁场中运动时产生的电动势的大小；

（2）电阻的阻值．

【答案】；R=

【解析】

【分析】

【详解】

（1）设金属杆进入磁场前的加速度大小为a，由牛顿第二定律得：ma=F-μmg①

设金属杆到达磁场左边界时的速度为v，由运动学公式有：v=at0②

当金属杆以速度v在磁场中运动时，由法拉第电磁感应定律，杆中的电动势为:E=Blv③

联立①②③式可得:④

（2）设金属杆在磁场区域中匀速运动时，金属杆的电流为I，根据欧姆定律：I=⑤

式中R为电阻的阻值．金属杆所受的安培力为：⑥

因金属杆做匀速运动，由牛顿运动定律得：F–μmg–f