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VDMOS功率器件的设计
摘要
功率器件广泛用于军事和航空等领域，工作在太空中的功率器件极容易受到太空中的高能粒子或重离子的影响，从而诱发单个粒子的作用，从而导致器件性能下降，甚至出现故障。严重威胁工作中的卫星和航天器的可靠性。当单独一个高能粒子进入VDMOS器件就会引起单粒子栅格效应和单粒子破坏效应。在本文中，主要分析和研究了这两种效应的器件失效机理，并在该机理中研究了改善器件结构参数对抗辐射的效应。与传统VDMOS器件的工艺流程相比，它改进并设计了符合辐射抗性标准的功率器件。
本文首先介绍常规VDMOS器件的基本结构、工作原理、电学参数、辐射林论等
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