光电技术-03光生伏特器件.ppt

第3章光生伏特器件;3.1硅光电二极管;1.光电二极管的根本结构;国产硅光电二极管按衬底材料的导电类型不同，分为2CU和2DU两种系列。

2CU系列以N-Si为衬底，2DU系列以P-Si为衬底

2CU系列光电二极管只有两个引出线，

而2DU系列光电二极管有三条引出线，除了前极、后极外，还设了一个环极。

硅光电二极管结构示意图

2DU管加环极的目的是为了减少暗电

流和噪声。;;;;2.光电二极管的电流方程;光辐射时，光电二极管的全电流方程为：;3.1.2光电二极管的根本特性;在光电技术中常采用重新定义电流与电压正方向的方法把特性曲线旋转成如图3-4所示。重新定义的电流与电压的正方向均以PN结内建电场的方向相同的方向为正向。;必须指出，电流灵敏度与入射辐射波长λ的关系是复杂的，定义光电二极管的电流灵敏度时通常定义其峰值响应波长的电流灵敏度为光电二极管的电流灵敏度。??式外表上看它与波长λ成正比，但是，材料的吸收系数α还隐含着与入射辐射波长的关系。因此，常把光电二极管的电流灵敏度与波长的关系曲线称为光谱响应。;3.光谱响应;4.时间响应;〔3-5〕;4.噪声;;3.2其他类型的光生伏特器件;PIN管是光电二极管中的一种。是在P型半导体和N型半导体之间夹着一层〔相对〕很厚的本征半导体。

这样，PN结的内电场就根本上全集中于I层中，从而使PN结双电层的间距加宽，结电容变小。

由式τ=CjRL与f=1/2πτ知，Cj小，τ那么小，频带将变宽。因此，这种管子最大的特点是频带宽，可达10GHz。另一个特点是，因为I层很厚，在反偏压下运用可承受较高的反向电压，线性输出范围宽。;;3.2.2雪崩光电二极管〔AvalanchePhotodetector:APD〕;由于PIN型光电二极管在较高的反向偏置电压的作用下耗尽区扩展到整个PN结结区，形成自身保护〔具有很强的抗击穿功能〕，因此，雪崩光电二极管不必设置保护环。;2.工作原理;雪崩倍增系数M与碰撞电离率有密切的关系。碰撞电离率表示一个载流子在电场作用下，漂移单位距离所产生的电子—空穴对数目。实际上电子电离率α和空穴电离率α是不完全一样的，它们都与电场强度有密切关系。由实验确定，电离率与电场强度E可以近似的写成以下关系;物理意义：在强电场作用下，当通过耗尽区的每个载流子平均能产生一对电子—空穴时，就发生雪崩击穿现象。当M—∞时，PN结上所加的反向偏压就是雪崩击穿电压UBR。;当电压等于反向击穿电压时，电流增益可达106，即产生所谓的自持雪崩。

这种管子响应速度特别快，带宽可达100GHz，是目前响应速度最快的一种光电二极管。

噪声大是这种管子目前的一个主要缺点。

由于雪崩反响是随机的，所以它的噪声较大，特别是工作电压接近或等于反向击穿电压时，噪声可增大到放大器的噪声水平，以至无法使用。;从图3-8所示的伏-安特性曲线可以看出，在雪崩击穿点附近电流随偏压变化的曲线较陡，当反向偏压有较小变化时，光电流将有较大变化。;3.噪声;3.2.3硅光电池〔不需要加偏压的PN结〕;;测量光电池的主要功能是作为光电探测，即在不加偏置的情况下将光信号转换成电信号，此时对它的要求是线性范围宽、灵敏度高、光谱响应适宜、稳定性高、寿命长等。它常被应用在光度、色度、光学精密计量和测试设备中。;1.硅光电池的根本结构和工作原理;光电二极管的工作区域：;2.硅光电池工作原理;负载电阻RL所获得的功率：PL=ILU

其中，光电池输出电流IL应包括光生电流IP、扩散电流与暗电流等三局部，即;3.硅光电池的输出功率;通过对PL求关于RL的1阶倒数，当RL=Ropt时，求得最正确负载电阻Ropt的阻值。

在实际工程计算中，常通过分析图3-11所示的输出特性曲线得到经验公式，即，当负载电阻为最正确负载电阻时，输出电压U=Um;硅光电池的最正确负载电阻Ropt为;4.光电池的光电转换效率;3.2.4光电三极管;1.工作原理;光生电流为;;2.光电三极管特性;２〕光电特性;３〕时间响应〔频率特性〕;说明光电三极管的等效电路是在光电二极管的等效电路根底上增加了电流源Ic和基射结电阻Rce、电容Cce、输出负载电阻RL。

选择适当的负载电阻，使其满足RL＜Rce，这时可以导出光电三极管电路的输出电压为;４〕温度特性;５〕光谱响应;3.2.5色敏光生伏特器件;1．双色硅色敏器件的工作原理;双结光电二极管只能通