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第1章：绪论

微电子封装技术中常用封装术语英文缩写的中文名称。

主要封装形式:DIP、QFP(J)、PGA、PLCC、.

SOP(J)、SOT、SMC/DBGACCGA、KGD、CSP、

DIP:双列直插式封装

QFP(J):四边引脚扁平封装

PGA:针栅阵列封装

PLCC:塑料有引脚片式载体

SOP(J):IC小外形封装.

SOT:小外形晶体管封装

SMC/D:表面安装元器件

BGA:焊球阵列封装

CCGA:

陶瓷焊柱阵列封装

KGD:优质芯片(己知合格芯片)

CSP:芯片级封装

MC主要封装工艺技术:WB、TAB、FCB、OLB、

ILB、C4、UBM、SMT、THT、COB、COG等。

M(P)、WLP等。

WB:引线键合

TAB:载带自动焊

FCB:倒装焊

OLB:外引线焊接.

ILB:内引线焊接

C4:可控塌陷芯片连接

UBM:凸点下金属化

SMT:表面贴装技术

THT:通孔插装技术

COB:板上芯片

COG:

玻璃上芯片

M(P):

WLP:圆片级封装

不同的封装材料:C、P等。

C:陶瓷封装

P:塑料封装

T:薄型

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F:窄节距

B:带保护垫

简写的名字

DIP：双列直插式封装

QFP：四边扁平封装

BGA：焊球阵列封装

MCP：多芯片封装/金属罐式封装

MCM：多芯片组件

3．芯片封装实现的5个功能。

（1）电能传输，主要是指电源电压的分配和导通。电子封装首先要接通电源，使芯片

与电路导通电流。其次，微电子封装的不同部位所需的电压有所不同，要能将不同部位的电

压分配适当，以减少电压的不必要损耗，这在多层布线基本上尤为重要，同时，还要考虑接

地线的分配问题。

（2）信号传递，主要是要使电信号的延迟尽可能的小，在布线时要尽可能的使信号线

与芯片的互连路径以及通过封装的I/O接口引出的路径达到最短。对于高频信号，还要考虑

到信号间的串扰，以进行合理的信号分配布线和接地线的分配。

（3）提供散热途径，主要是指各芯片封装要考虑元器件、部件长时间工作时如何将聚

集的热量散发出去的问题。不同的封装材料和结构具有不同的散热效果。对于大功耗的芯片

或部件的封装，还要考虑加散热辅助结构，比如热层、风冷、水冷系统，以确保系统能在使

用温度范围内长时间正常工作。

（4）结构保护与支持，封装要为芯片和其他链接部件提供牢固的可靠的机械支撑，并

能适应各种环境和条件的变化。半导体器件和电路的很多参数（如击穿电压、反向电流、电

流放大系数、噪声等），以及元器件的稳定性、可靠性都直接与半导体表面的状态密切相关。

半导体元器件以及电路制造过程中的许多工艺措施都是针对半导体表面问题的。半导体芯片

制造出来以后，在没有封装之前，始终都处于周围环境的威胁之中。在使用中，有得环境条

件极为恶劣，必须将芯片严加密封和包封。

（5）绿色封装，保护环境。

8．简述封装技术的工艺流程。

磨片：磨片之前，在硅片表面贴一层保护膜以防止磨片过程中硅片表面电路受损。磨片

就是对硅片背面进行减薄，使其变薄变轻，以满足封装工艺要求。磨片后进行卸膜，把硅片

表面的保护膜去除。

划片（dicing）：在划片之前进行贴膜，就是要用保护膜和金属引线架将硅片固定。再

将硅片切成单个的芯片，并对其检测，只有切割完经过检测合格的芯片可用。

装片（dieattaching）：将切割好的芯片从划片膜上取下，将其放到引线架或封装衬底

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（或基座）条带上。

键合（wirebonding）：用金线将芯片上的引线孔和引线架衬垫上的引脚连接，使芯片

能与外部电路连接。

塑封（molding）：保护器件免受外力损坏，同时加强器件的物理特性，便于使用。然

后对塑封材料进行固化（curing），使其有足够的硬度与强度经过整个封装过程。

电镀（plating）；使用Pb和Sn作为电镀材料进行电镀，目的是防止引线架生锈或受到

其他污染。然后根据客户需要，使用不同的材料在封装器件表面进行打印（marking），用于

识别。

第2章：封装工艺流程

1.常用的芯片贴装有哪几种？并对各自做出简要说明。

共晶粘贴法、导