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第四章：沉积
第四章：沉积
化学气相沉积
化学气相沉积
4.1引言
引言
4.1
n本章重点介绍
n本章重点介绍
化学气相沉积CVD（ChemicalVaporDeposition）
（）
化学气相沉积CVDChemicalVaporDeposition
原理；CVD低温沉积SiO薄膜、氮化硅SiN薄
原理；低温沉积薄膜、氮化硅薄
CVDSiOSiN
234
234
膜及多晶硅poly－Si薄膜。
膜及多晶硅－薄膜。
polySi
n薄膜的概念
n薄膜的概念
薄膜是指在衬底上生长的薄固体物质，在三维
薄膜是指在衬底上生长的薄固体物质，在三维
结构中厚度远远小于长和宽。
结构中厚度远远小于长和宽。
n薄膜特性（也是集成电路对薄膜的要求）
n薄膜特性（也是集成电路对薄膜的要求）
1.好的台阶覆盖能力
1.好的台阶覆盖能力
2.填充高深宽比间隙的能力
2.填充高深宽比间隙的能力
3.好的厚度均匀性
3.好的厚度均匀性
4.高纯度和高密度
4.高纯度和高密度
5.受控制的化学剂量
5.受控制的化学剂量
6.高度的结构完整性和低的应力
6.高度的结构完整性和低的应力
7.好的电学特性
7.好的电学特性
8.对衬底材料或下层膜有好的粘附性
8.对衬底材料或下层膜有好的粘附性
n好的台阶覆盖能力
n好的台阶覆盖能力
（a）台阶覆盖不好（b）台阶覆盖好
n填充高深宽比间隙的能力
n填充高深宽比间隙的能力
n好的厚度均匀性
n好的厚度均匀性
均匀性不好给刻蚀带来困难，影响器件良率
均匀性不好给刻蚀带来困难，影响器件良率
n高纯度和高密度
n高纯度和高密度
纯度高离子沾污小，密度高针孔和空洞少
纯度高离子沾污小，密度高针孔和空洞少
n受控制的化学剂量
n受控制的化学剂量
例如：用LPCVD法沉积氮化硅其组分为SiN
例如：用LPCVD法沉积氮化硅其组分为SiN
34
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（成化学比），用PECVD法沉积氮化硅控制
（成化学比），用法沉积氮化硅控制
PECVD
其组分为SiN或SiON。
其组分为或。
SiNSiON
n高度的结构完整性和低的应力
n高度的结构完整性和低的应力
晶粒
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